[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

芯片，所述芯片被分区为包括第一区域、第二区域和第三区域的三个区域；以及

公共漏极电极，所述公共漏极电极被设置在所述芯片的背表面上，其中，

所述第二区域形成在所述第一区域和所述第三区域之间，

第一MOSFET形成在所述第一区域和所述第三区域中，并且

第二MOSFET形成在所述第二区域中，

其中，所述第一、第二和第三区域中的每一个包括两个源极焊盘，并且

所述半导体器件进一步包括：

分别被设置在所述第一区域和所述第三区域中的栅极焊盘，该栅极焊盘中的每一个被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且被电连接到所述第一MOSFET；以及

被设置在所述第二区域中的栅极焊盘，该栅极焊盘被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且被电连接到所述第二MOSFET。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一MOSFET的大小大于所述第二MOSFET的大小。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一栅极焊盘，所述第一栅极焊盘被设置在所述第一区域中，所述第一栅极焊盘被电连接到所述第一MOSFET；以及

第二栅极焊盘，所述第二栅极焊盘被设置在所述第三区域中，所述第二栅极焊盘被电连接到所述第二MOSFET。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，在所述第二区域中未设置栅极焊盘。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述第一、第二和第三区域中的每一个包括两个源极焊盘，并且

所述第一和第二栅极焊盘中的每一个被设置为夹在所述两个源极焊盘之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在所述第二区域中，所述第二MOSFET的源极焊盘形成在夹在所述第一区域和所述第三区域中的所述两个源极焊盘之间的位置。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中

所述第一、第二和第三区域中的每一个包括两个源极焊盘，

在所述第一区域中，所述源极焊盘中的一个被设置为夹在所述源极焊盘中的另一个和所述第一栅极焊盘之间，

在所述第三区域中，所述源极焊盘中的一个被设置为夹在所述源极焊盘中的另一个和所述第二栅极焊盘之间，以及

所述第一和第二栅极焊盘被设置为沿着所述芯片的短边布置成一行。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一和第三区域被部分地连接，由此所述第一MOSFET被形成为U形。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一和第三区域被设置为围绕所述第二区域，由此所述第一MOSFET被形成为矩形框形状。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二区域被形成为使得所述第二区域的一部分突出到所述第一区域侧和第三区域侧。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

以使得第二区域被形成在第一区域和第三区域之间的方式将芯片分区为包括所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域的三个区域，

在所述第一区域和所述第三区域中形成第一MOSFET，

在所述第二区域中形成第二MOSFET，以及

在所述芯片的背表面上形成公共漏极电极，

其中，在所述第一、第二和第三区域中的每一个中形成两个源极焊盘，

分别在所述第一区域和所述第三区域中设置栅极焊盘，该栅极焊盘中的每一个被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且电连接到所述第一MOSFET，以及

在所述第二区域中设置栅极焊盘，该栅极焊盘被设置在夹在所述两个源极焊盘之间的位置，并且电连接到所述第二MOSFET。

12.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，使得所述第一MOSFET的大小大于所述第二MOSFET的大小。

13.根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中

在所述第一区域中设置第一栅极焊盘，所述第一栅极焊盘被电连接到所述第一MOSFET；以及

在所述第三区域中设置第二栅极焊盘，所述第二栅极焊盘被电连接到所述第二MOSFET。