[发明专利]晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310204999.7 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103325687A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成栅极；
在所述栅极的周围形成侧墙；
在所述侧墙两侧的衬底内进行离子注入，形成源极和漏极；
形成源极和漏极后，去除介电常数大于3.8的侧墙部分。
2.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙为氮化硅侧墙。
3.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙为双层结构，里层为氮化硅侧墙，外层为氧化硅侧墙；
在去除氮化硅侧墙之前，先去除氧化硅侧墙。
4.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述侧墙为三层结构，里层为氧化硅侧墙，中间层为氮化硅侧墙、外层为氧化硅侧墙；
在去除氮化硅侧墙之前，先去除外层的氧化硅侧墙。
5.如权利要求2或3或4所述晶体管的形成方法，其特征在于，采用磷酸溶液湿法腐蚀去除所述氮化硅侧墙。
6.如权利要求3或4所述晶体管的形成方法，其特征在于，采用氢氟酸溶液湿法腐蚀去除氧化硅侧墙。
7.如权利要求1所述晶体管的形成方法，形成源极和漏极的步骤之后，去除所述介电常数大于3.8的侧墙部分之前，还包括步骤：在所述栅极、源极和漏极的上表面形成金属硅化物。
8.如权利要求1所述晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述介电常数大于等于3.8的侧墙后，形成层间介质层，覆盖所述衬底、剩余侧墙和所述栅极，所述层间介质层的材料为低K材料或者超低K材料。
9.如权利要求8所述晶体管的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
