[发明专利]用于具有多重电力领域的电路的静电放电保护设备

权利要求书

1.一种电路，其包含：

第一领域，其包含耦合至第一电源导轨及第一接地导轨的第一电源箝制电路，以及经组态成传送来自该第一领域的讯号的第一接口连接；

第二领域，其包含耦合至第二电源导轨及第二接地导轨的第二电源箝制电路，以及经组态成接收进入该第二领域的讯号的第二接口连接；以及

阻断电路，其用以阻断来自ESD事件的电流，该阻断电路具有耦合至该第一接口连接的输入连接与耦合至该第二接口连接的输出连接。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，该阻断电路包含：

具有第一NMOS栅极、第一NMOS漏极及耦合至该第一接地导轨的第一NMOS源极的第一NMOS；

具有第二NMOS栅极、第二NMOS漏极及耦合至该第一接地导轨的第二NMOS源极的第二NMOS；以及

具有耦合至该输入连接及该第一NMOS栅极的输入以及具有耦合至该第二NMOS栅极的输出的反相器。

3.根据权利要求2所述的电路，其中，该阻断电路更包含：

第一核心PMOS，其具有第一核心PMOS栅极、第一核心PMOS漏极及耦合至该第二电源导轨的第一核心PMOS源极；以及

第二核心PMOS，其具有第二核心PMOS栅极、第二核心PMOS漏极及耦合至该第二电源导轨的第二核心PMOS源极，其中，该第一NMOS漏极耦合至该第一核心PMOS漏极及该第二核心PMOS栅极，以及其中，该输出连接耦合至该第二核心PMOS漏极、该第二NMOS漏极及该第一核心PMOS栅极。

4.根据权利要求2所述的电路，其中，该第二领域更包含具有核心PMOS栅极、核心PMOS漏极及耦合至该第二电源导轨的核心PMOS源极的核心PMOS；以及核心NMOS，其具有耦合至该核心PMOS栅极及该第二接口连接的核心NMOS栅极、耦合至该核心PMOS漏极的核心NMOS漏极，以及耦合至该第二接地导轨的核心NMOS源极，其中，该第一NMOS及该反相器的栅极氧化物崩溃电压大于该核心PMOS及该核心NMOS的栅极氧化物崩溃电压，以及其中，该第一电源导轨具有大于该第二电源导轨的电压。

5.根据权利要求4所述的电路，其中，该第一NMOS及该反相器具有在7伏特至8伏特之间的栅极氧化物崩溃电压，以及该核心PMOS及该核心NMOS各自具有4伏特至5伏特之间以及3.5伏特至4.5伏特之间的栅极氧化物崩溃电压，以及其中，该第一电源导轨具有1.65伏特至2伏特的电压以及该第二电源导轨具有0.8伏特至1伏特的电压。

6.根据权利要求1所述的电路，更包含：

耦合至该第一电源导轨及该第一接地导轨的第一RC箝制电路；以及

具有耦合至该第一接地导轨的阳极及耦合至该第二接地导轨的阴极的二极管，其中，来自ESD事件的电流经由该第一RC箝制电路及该二极管在由该第一电源导轨至该第二接地导轨的路径上放电。

7.根据权利要求6所述的电路，更包含耦合至该第二电源导轨及该第二接地导轨的第二RC箝制电路，其中，来自ESD事件的电流经由该第一RC箝制电路、该二极管及该第二RC箝制电路在由该第一电源导轨至该第二电源导轨的路径上放电。

8.根据权利要求1所述的电路，其中，当该第一电源导轨在该第二电源导轨之前通电时，不会有由该第一电源导轨至该第二电源导轨的泄露电流流经该阻断电路。

9.一种方法，其包含：

将第一电源箝制电路耦合至第一领域的第一电源导轨及第一接地导轨；

将第二电源箝制电路耦合至第二领域的第二电源导轨及第二接地导轨；

提供用以阻断来自ESD事件的电流的阻断电路；

在该第一领域中提供I/O接口连接，用以传送来自该第一领域的讯号至该阻断电路；

在该第二领域中提供核心接口连接，用以传送来自该阻断电路的讯号至该第二领域；

将该阻断电路的输入连接耦合至该I/O接口连接；以及

将该阻断电路的输出连接耦合至核心接口连接。