[发明专利]半导体封装件的制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件的制法，尤指一种避免半导体芯片在工艺中偏离原预定位置的半导体封装件的制法。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能与高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化（miniaturization）的封装需求，遂发展出晶圆级封装（Wafer Level Packaging，WLP）的技术。

图1A至图1F所示者，为现有晶圆级半导体封装件的制法的剖视图。

如图1A所示，首先，提供一承载板10。

如图1B所示，接着，于该承载板10上形成一热剥离胶带（thermal release tape）11。

如图1C所示，贴合多个具有作用面12a的半导体芯片12于该热剥离胶带11上，该作用面12a上具有多个电极垫121，且该半导体芯片12是以其作用面12a贴附于该热剥离胶带11上。

如图1D所示，以模压（molding）方式于该热剥离胶带11上形成封装胶体13，以使该封装胶体13完全包覆该半导体芯片12。

如图1E所示，之后进行烘烤步骤，以硬化该封装胶体13，并使该热剥离胶带11失去粘性，进而移除该热剥离胶带11与承载板10。

如图1F所示，最后，于半导体芯片12的作用面12a及同侧的封装胶体13表面上形成线路层14。后续可视需要进行切单作业（未图标），以完成一不具封装基板的封装件。

然而，前述现有半导体封装件的制法中，该热剥离胶带具有可挠性，其于模压工艺中受热时会膨胀，造成其上的半导体芯片偏离原本预定位置；此外，该封装胶体注入封装用的模具内时，其封装胶体的流动所产生的侧推力更容易使粘附于该热化离型胶层上的半导体芯片发生偏移。一旦该半导体芯片发生偏移，后续形成的线路层与该半导体芯片的电极垫间的对位将产生困难，进而造成良率过低及产品可靠度不佳等问题。

而且，由于封装胶体的热膨胀系数不同于承载板的热膨胀系数，所以在加热以硬化该封装胶体后，会使得整体结构翘曲（warpage），导致后续工艺难以进行。

此外，因为现有的制法必须使用热剥离胶带，所以无法有效降低制造成本。

因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界所急需解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的为提供一种半导体封装件的制法，可避免现有半导体芯片偏移的缺点。

本发明的半导体封装件的制法，包括：于第一承载板上形成第一粘着层；将至少一具有相对的作用面与非作用面的半导体芯片以其作用面接置于该第一粘着层上，且该作用面上形成有多个电极垫；于该第一粘着层上形成包覆该半导体芯片的具有相对的第一表面与第二表面的封装胶体，该第一表面面向该第一粘着层；对该封装胶体进行第一切单步骤，以形成贯穿该封装胶体的第一表面与第二表面的凹槽；通过第二粘着层于该封装胶体的第二表面上接置第二承载板；移除该第一承载板与第一粘着层；于该凹槽中填入粘着材；于该封装胶体的第一表面与粘着材上形成电性连接该电极垫的线路增层结构；以及移除该第二承载板与第二粘着层。

于前述的半导体封装件的制法中，于移除该第二承载板与第二粘着层之后，还包括进行第二切单步骤，且于移除该第二承载板与第二粘着层之后及于进行该第二切单步骤之前，还包括将该封装胶体的第二表面接置于一切割用胶带上，并于进行该第二切单步骤之后，移除该切割用胶带。

依上所述的半导体封装件的制法，于接置该第二承载板之后及于移除该第二承载板与第二粘着层之前，还包括于该线路增层结构上覆盖保护层，且于形成该线路增层结构之后及于移除该第二承载板与第二粘着层之前，还包括于该线路增层结构上形成多个导电组件，且该导电组件为焊球。

又于前述的半导体封装件的制法中，该第一承载板包括层叠的第一基材与第一剥离层，且该第一剥离层接触该第一粘着层，形成该第一基材的材质为晶圆或玻璃，该第二承载板包括层叠的第二基材与第二剥离层，且该第二剥离层接触该第二粘着层，形成该第二基材的材质为晶圆或玻璃。

于本发明的半导体封装件的制法中，该线路增层结构为线路重布层。

由上可知，由于本发明于形成封装胶体之后，先对该封装胶体进行切单步骤，如此则能先释放应力，以改善现有的翘曲情形；此外，因为本发明未使用现有的热剥离胶带，所以无现有的热剥离胶带受热变形而导致半导体芯片偏移的缺失，进而能增进对位精度、提升良率和产品可靠度且降低制造成本。

附图说明

图1A至图1F所示者为现有晶圆级半导体封装件的制法的剖视图；以及