[发明专利]用于有机发光装置的反射阳极电极及其制造方法有效
| 申请号: | 201310202475.4 | 申请日: | 2013-05-27 |
| 公开(公告)号: | CN103258966A | 公开(公告)日: | 2013-08-21 |
| 发明(设计)人: | 储培鸣 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32;H05B33/26;C23C14/34 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 刘春生;于宝庆 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 有机 发光 装置 反射 阳极 电极 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种反射阳极电极的制造方法,具体涉及一种用于有机发光装置的反射阳极电极的制造方法及由该方法制造的反射阳极电极。
背景技术
有机电致发光装置是一种自发光全固体型平板显示装置,其驱动方式分为无源型和有源型,有源型常采用上发射构造,即从装置上表面侧引出光的构造,为此上发射型有源矩阵有机发光装置采用兼具光反射性的反射阳极电极,以使装置发光层发出的光经由该反射阳极反射而从上表面射出。这种反射阳极电极由作为透明阳极接触层的透明导电氧化物膜层和作为反射层的高反射率金属膜层层叠构成,其中透明阳极接触层要求具有高透过率,通常采用氧化铟锡或氧化铟锌,反射层要求具有高反射率、低电阻率,通常采用在可见光区具有高反射低吸收特性且导电性良好的金属银。
溅射是一种优良的镀膜工艺,具有成膜坚固、致密性好、成膜条件和厚度易于控制、均匀性和重复性好、便于大面积成膜等优点,在有机发光领域具有广泛的应用。上述反射阳极电极通常也采用溅射工艺形成,首先在在基板之上溅镀银层,再在银层之上溅镀透明导电氧化物层。透明导电氧化物例如氧化铟锡或氧化铟锌一般为反应式溅射镀膜,在镀膜过程中需要添加少量氧气或者水汽来补充氧含量,以改善氧化铟锡或氧化铟锌膜层的透过率,然而其下作为反射层的银层在通入氧气或水汽的情况下容易发生氧化,在表面形成氧化物,从而增大银层的表面粗糙度,进而降低银层的反射率。
为防止在银层之上沉积透明导电氧化物层时银层被氧化,目前多采取在银层之上增加保护层或采用银合金层代替纯银层。例如CN102168246A公开了在基板之上连续沉积氧化铟锡层、银层、钛层、氧化铟锡层以利用钛层保护银层的方法,该方法虽解决了银层氧化的问题,但金属钛的反射率不及银,增加的钛层降低了反射阳极的反射率,且需新增溅射钛层的腔室,增加了工艺的复杂性及成本。又例如CN102612859A公开了一种反射阳极电极,其采用铝-银复合合金层代替银层,解决银层氧化腐蚀的问题,由于目前银仍为反射性最好的金属,因而该方法同样存在降低反射阳极反射率的问题。因此,需要一种改进的在银层表面形成透明导电氧化物层的方法,以减少银层氧化。
发明内容
本发明通过首先在惰性气氛下在银反射层之上溅射形成透明氧化物缓冲层,再在通入氧气或水汽的条件下在缓冲层之上溅射透明氧化物阳极接触层,即通过在银层与透明氧化物阳极接触层之间增加透明氧化物缓冲层的方法,解决银层表面氧化问题,降低银层表面粗糙度,提高银层反射率。
因此,一方面,本发明提供一种用于有机发光装置的反射阳极电极的制造方法,该方法包括以下步骤:
(1)在一腔室中在惰性气体条件下于基板之上溅射形成银反射层;
(2)在另一腔室中在惰性气体条件下于所述银反射层之上溅射形成透明导电氧化物缓冲层;
(3)在步骤(2)的腔室中在同时通入惰性气体和氧气的条件下于所述透明导电氧化物缓冲层之上溅射形成透明导电氧化物阳极接触层,制成反射阳极电极。
在本发明方法的一种实施方式中,步骤(1)至(3)中所述惰性气体均选自氩气、氪气、氙气、氖气或氮气。
在本发明方法的另一种实施方式中,步骤(1)至(3)中所述惰性气体均为氩气。
在本发明方法的另一种实施方式中,步骤(1)和步骤(2)中惰性气体的流量为75~200cm3/min。
在本发明方法的另一种实施方式中,步骤(1)和步骤(2)中惰性气体的分压为0.3~0.8Pa。
在本发明方法的另一种实施方式中,步骤(3)中所述惰性气体与氧气的流量比为50:1~100:1。
在本发明方法的另一种实施方式中,步骤(2)和(3)中所述透明导电氧化物均为氧化铟锡。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述银反射层的厚度为100~200nm。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述银反射层的厚度为150nm。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为1~5nm。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为3nm。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为10~20nm。
在本发明方法的另一种实施方式中,所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为11nm。
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