[发明专利]用于有机发光装置的反射阳极电极及其制造方法

权利要求书

1.一种用于有机发光装置的反射阳极电极的制造方法，该方法包括以下步骤：

(1)在一腔室中在惰性气体条件下于基板之上溅射形成银反射层；

(2)在另一腔室中在惰性气体条件下于所述银反射层之上溅射形成透明导电氧化物缓冲层；

(3)在步骤(2)的腔室中在同时通入惰性气体和氧气的条件下于所述透明导电氧化物缓冲层之上溅射形成透明导电氧化物阳极接触层，制成反射阳极电极。

2.如权利要求1所述的方法，其中步骤(1)至(3)中所述惰性气体均选自氩气、氪气、氙气、氖气或氮气。

3.如权利要求2所述的方法，其中步骤(1)至(3)中所述惰性气体均为氩气。

4.如权利要求1所述的方法，其中步骤(1)和(2)中惰性气体的流量为75～200cm³/min。

5.如权利要求1所述的方法，其中步骤(1)和(2)中惰性气体的分压为0.3～0.8Pa。

6.如权利要求1所述的方法，其中步骤(3)中所述惰性气体与氧气的流量比为50:1～100:1。

7.如权利要求1所述的方法，其中步骤(2)和(3)中所述透明导电氧化物均为氧化铟锡。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述银反射层的厚度为100～200nm。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述银反射层的厚度为150nm。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为1～5nm。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为3nm。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为10～20nm。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为11nm。

14.一种通过权利要求1-13中任一项所述的方法制造的用于有机发光装置的反射阳极电极，该反射阳极电极包括：银反射层，设置于所述银反射层之上的透明导电氧化物缓冲层，设置于所述透明导电氧化物缓冲层之上的透明导电氧化物阳极接触层。

15.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述透明导电氧化物缓冲层为氧化铟锡缓冲层，且所述透明导电氧化物阳极接触层为氧化铟锡阳极接触层。

16.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述银反射层的厚度为100～200nm。

17.如权利要求16所述的反射阳极电极，其中所述银反射层的厚度为150nm。

18.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为1～5nm。

19.如权利要求18所述的反射阳极电极，其中所述透明导电氧化物缓冲层的厚度为3nm。

20.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为10～20nm。

21.如权利要求20所述的反射阳极电极，其中所述透明导电氧化物阳极接触层的厚度为11nm。

22.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述银反射层的表面粗糙度R_a为0.78～0.92nm。

23.如权利要求14所述的反射阳极电极，其中所述氧化铟锡缓冲层和所述氧化铟锡阳极接触层对550nm波长的光的透过率为93.8～96.2%。