[发明专利]一种半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，包括：

提供衬底及其上的栅堆叠；

在所述栅堆叠的侧壁上形成伪侧墙，所述伪侧墙掺杂有N型或P型粒子；

进行源漏注入；

进行热退火，以形成源漏区，同时伪侧墙扩散形成源漏延伸区；

去除伪侧墙，并形成替代侧墙。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙为掺杂B或P的二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述伪侧墙为掺B二氧化硅，其中B含量为5～20%；所述伪侧墙为掺P二氧化硅，其中P含量为5～20%。

4.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成伪侧墙时，采用化学气相沉积的方法进行沉积，温度为400～480℃。

5.根据权利要求3所述的形成方法，其特征在于，采用尖峰退火进行热退火，退火的温度为1050～1150℃，时间为5～30秒。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在进行源漏注入后、进行热退火之前，还进行halo注入。