[发明专利]分散板及具有该分散板的镀膜装置有效
| 申请号: | 201310199717.9 | 申请日: | 2013-05-24 |
| 公开(公告)号: | CN103266310A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
| 发明(设计)人: | 许修齐;钟尚骅 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 赵根喜;李昕巍 |
| 地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 散板 具有 镀膜 装置 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示面板制造领域,尤其涉及一种分散板及具有该分散板的镀膜装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)技术越来越受到人们的关注,这是由于其自发光的原理,更易于制作轻薄、易携带的显示或照明装置。OLED除了具有阳极和阴极外,还具有包含在两电极间的多层有机化合物。该多层有机化合物各自具有不同的功能,有的用来传输电子和空穴,有的用来激发光子。
薄膜镀膜是平面显示器工艺中非常重要的一道工艺,对于工艺中各项参数的控制是相当严格。其中镀膜的均匀度便是其中之一,而镀膜装置内气体的分布也会影响镀膜的均匀度。
现有技术的镀膜装置中,分散板是设置于上电极装置中,如图1所示,现有技术的上电极装置是一种三层式的结构,顶端是上电极2,顶端中心具有进气孔(gas inlet)3,三层式结构中上边的两层分别是两层分散板11、12,最下面的一层为簇射板4。
其中分散板11、12设计为金属制的平板并带有上百或上千个的气体孔10。为不影响气体分散至下一层的时间,该分散板11、12的厚度通常不超过10mm,并利用金属或陶瓷材质的固定件将分散板11、12固定于上电极装置的侧壁。此种设计也大量的运用于等离子加强沉积设备的上电极,工艺温度大概控制在400摄氏度。在如此高温的状态下,分散板11、12容易因为分散板本身受热不够均匀的情况下产生形变,变形的情况如图2所示,也极有可能在固定处(分散板与上电极装置侧壁的固定处)产生变形。如此便会造成两层分散板间的距离发生改变进而影响气体的分布,进而造成薄膜的不均匀。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的为提供一种用于镀膜装置的分散板,以解决现有技术的镀膜装置中的分散板存在的容易变形,变形后影响气体分布,进而影响薄膜的膜厚均匀度的技术问题。
本发明的另一目的为提供一种具有本发明分散板的镀膜装置。
为实现上述目的,本发明的技术方案如下:
一种分散板,用于镀膜装置,所述分散板上具有:有效区,所述有效区均匀设置有多个用于气体通过的气体孔;以及位于所述有效区外围的无效区,与待镀膜基板的无效区的位置相对应,用于所述分散板与外部装置的连接,所述无效区具有多条切割线。
本发明的分散板,优选的,所述分散板具有长边和短边,所述长边和短边上均具有多条所述切割线。
本发明的分散板,优选的,所述切割线是利用物理性加工在分散板边缘切除部分分散板所形成。
本发明的分散板,优选的,位于所述长边的切割线的长度为3~5mm,宽度为0.5~1mm,数量为3~5条。
本发明的分散板,优选的,位于所述短边的切割线的长度为1~2mm,宽度为0.5~1mm,数量为2~3条。
本发明的分散板,优选的,位于所述短边的切割线垂直于位于所述长边的切割线,且平行于所述长边。
本发明的分散板,优选的,各所述切割线的延长线交于所述分散板的几何中心。
本发明的分散板,优选的,所述切割线在所述长边上均匀分布,所述切割线在所述短边上均匀分布。
本发明的分散板,优选的,位于所述长边中部的切割线间距小于位于所述长边两侧的切割线间距。
本发明的镀膜装置,具有本发明的分散板。
本发明的镀膜装置,优选的,所述镀膜装置具有至少2层分散板。
本发明的镀膜装置,优选的,所述分散板的厚度小于10mm。
本发明的有益效果在于,本发明的分散板及具有该分散板的镀膜装置,切割线的作用在于让分散板变形时可有方向性,切割线可将变形方向调整为水平而非原先的垂直方向变形,可以减少分散板变形,改善气体分布,增加上电极装置内的气体分布稳定性,进而能够提高镀膜装置的膜厚均匀性。
附图说明
图1为常用的镀膜装置的上电极装置的截面示意图;
图2为现有技术的分散板变形及其气体分布改变示意图;
图3为本发明第一实施例的分散板的示意图;
图4为本发明第二实施例的分散板的示意图;
图5为本发明实施例的分散板的气流方向示意图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化,其皆不脱离本发明的范围,且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用,而非用以限制本发明。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





