[发明专利]光致抗蚀剂组合物

说明书

一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：树脂，所述树脂显示通过酸的作用在碱性水溶液中的溶解度增加；酸生成剂；由式(I)表示的化合物；和溶剂，所述溶剂的量为所述光致抗蚀剂组合物的总量的40至75质量％：其中所述环W¹是含氮杂环，或具有取代或未取代的氨基的苯环，A¹表示苯基或萘基，并且n表示2或3的整数。

技术领域

本发明涉及光致抗蚀剂组合物和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。

背景技术

在通过半导体芯片用薄膜安装插脚的过程中，在基板上配置作为具有4至150μm高度的突起的电极。

对于用于制备突起的光致抗蚀剂组合物，JP2008-249993A1提到一种正性型化学放大光致抗蚀剂组合物，该光致抗蚀剂组合物任选地包含胺化合物作为猝灭剂。JP2007-272087A1提到一种正性型光敏树脂组合物，该正性型光敏树脂组合物任选地包含氮有机化合物作为酸扩散控制剂。

发明内容

本申请给出如下方面的发明。

[1]一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：

树脂，所述树脂显示通过酸的作用在碱性水溶液中的溶解度增加；

酸生成剂；

由式(I)表示的化合物；和

溶剂，所述溶剂的量为所述光致抗蚀剂组合物的总量的40至75质量％：

其中环W¹是含氮杂环，或具有取代或未取代的氨基的苯环，

A¹表示苯基或萘基，并且

n表示2或3的整数。

[2]根据[1]所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述环W¹是含氮杂环。

[3]根据[1]所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂包含由式(a1-1)或式(a1-2)表示的结构单元：

其中R^a1、R^a2和R^a3各自独立地表示C1-C8烷基或C3-C20脂环烃基，或者R^a1、R^a2和R^a3中的两个彼此连接以形成C2-C20二价烃基并且另一个表示C1-C8烷基或C3-C20脂环烃基，

R^a4表示氢原子或甲基，

其中R^a1’和R^a2’各自独立地表示氢原子或其中的亚甲基任选已经被氧原子或硫原子代替的C1-C12烃基，并且R^a3’表示其中的亚甲基任选已经被氧原子或硫原子代替的C1-C20烃基，或

R^a1’和R^a2’中的一个表示氢原子或其中的亚甲基任选已经被氧原子或硫原子代替的C1-C12烃基，并且另一个是连接至R^a3’而形成其中的亚甲基任选已经被氧原子或硫原子代替的C2-C20二价烃基，R^a5表示氢原子或甲基，

R^a6表示C1-C6烷基或C1-C6烷氧基，并且m表示0至4的整数。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的光致抗蚀剂组合物，

其中所述酸生成剂是由式(b1)或式(b3)表示的化合物，