[发明专利]一种有机发光二极管的封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管封装结构，包括基板、盖板和位于基板上的多个有机发光二极管，所述有机发光二极管包括红光有机发光二极管、绿光有机发光二极管及蓝光有机发光二极管，所述基板和盖板通过位于基板边缘的粘结材料粘结形成封装结构，所述有机发光二极管包括设置于基板上表面的阳极和依次叠加在阳极上面的有机层和阴极，其特征在于：所述有机发光二极管中绿光有机发光二极管阳极表面还设有物理间隙柱，所述物理间隙柱的上表面高于有机发光二极管阴极的的上表面。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱设置于基板的上表面。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱的底面积为有机二极管阳极表面积的20～70％。

4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为光敏感树脂或无机绝缘材料。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述物理间隙柱的材质为丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸环氧丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基聚丙烯酸6，7-环氧庚酯、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯单体的均聚物或共聚物、三氧化二铝、氮化硅或二氧化硅。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构，其特征在于：所述有机发光二极管的有机层包括至少一层发光层，还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。

7.一种根据权利要求1所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1采用溅射镀膜法在基板上制备有机发光二极管的阳极；

步骤2对于材质为光敏感树脂的物理间隙柱的制备，包括以下步骤：

步骤211在阳极表面均匀涂布光敏感树脂，并安装掩膜板，所述掩膜板上的镂空区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤212曝光：固化光束经过掩模板照射至阳极表面的光敏感树脂；

步骤213显影：即用显影溶液将被掩膜板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂除去，固化的光敏感树脂则形成物理间隙柱；

步骤214对所述物理间隙柱进行烘烤使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括以下步骤：

步骤221采用溅射镀膜法在阳极表面沉积无机膜；

步骤222在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后，安装掩膜板，如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩膜板上的镂空区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩膜板上的遮蔽区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤223曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受照射固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受照射而分解；

步骤224显影：即用显影溶液将未固化或已分解的光刻胶除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤225刻蚀：将步骤224所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜被刻蚀，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤226剥离：即除去覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱；

步骤3在步骤2所得基板的表面依次蒸镀有机层和阴极，完成有机发光二极管的制备；

步骤4用粘结材料将步骤3基板和盖板粘结起来，完成有机发光二极管的封装结构。

8.一种根据权利要求2所述的有机发光二极管封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1采用溅射镀膜法在基板上制备一层导电膜；

步骤2在步骤1所述导电膜表面均匀涂布正性光刻胶并烘烤，然后，安装掩膜板，所述掩膜板上的遮蔽区域与基板上所设置阳极的大小、形状和位置一一对应，所述掩膜板上的镂空区域与基板上除阳极以外的区域一一对应，还包括所设置物理间隙柱的区域；

步骤3曝光：用光束照射步骤2所得基板，光束经过掩模板的镂空区域照射到正性光刻胶并使其分解；

步骤4显影：即用显影液除去镂空区域内分解了的光刻胶；

步骤5刻蚀：用刻蚀液除去镂空区域由于没有光刻胶保护该区域内的导电层；

步骤6剥离：用剥离液除去未刻蚀区域内导电层表面的正性光刻胶，剩余导电层即为阳极，同时得到在设置物理间隙柱处没有阳极的基板；

步骤7对于材质为光敏感树脂的物理间隙柱的制备，包括以下步骤：

步骤711在步骤6所得基板表面均匀涂布光敏感树脂，并安装掩膜板，所述掩膜板上的镂空区域与基板表面所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤712曝光：用光束照射步骤711所得基板，光束经过掩模板照射至基板表面的光敏感树脂并使其固化；

步骤713显影：即用显影溶液将被掩膜板遮蔽的区域内的未固化光敏感树脂除去，固化的光敏感树脂则形成物理间隙柱；

步骤714对步骤713所得物理间隙柱进行烘烤使其进一步硬化；

对于材质为无机材料的物理间隙柱的制备，包括以下步骤：

步骤721采用溅射镀膜法在在步骤7所得基板表面沉积无机膜；

步骤722在无机膜表面均匀涂布光刻胶并烘烤，然后，安装掩膜板，如果所涂光刻胶为负性光刻胶，则掩膜板上的镂空区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；如果所涂光刻胶为正性光刻胶，则掩膜板上的遮蔽区域与阳极上所设置物理间隙柱的位置、形状一一对应；

步骤723曝光：光束经过掩模板照射至无机膜表面的光刻胶，对于负性光刻胶，镂空区域光刻胶受照射固化，对于正性光刻胶，镂空区域光刻胶受照射而分解；

步骤724显影：即用显影溶液将未固化或已分解的光刻胶除去，剩余光刻胶则覆盖在无机膜上；

步骤725刻蚀：将步骤724所得基板浸入刻蚀液，被除去光刻胶区域内的无机薄膜被刻蚀，光刻胶覆盖区域的无机膜则被留下；

步骤726剥离：即除去覆盖在无机膜上的光刻胶，得到物理间隙柱，同时得到设置于物理间隙柱的基板；

步骤8在步骤7所得基板的表面依次蒸镀有机层和阴极，完成有机发光二极管的制备；

步骤9用粘结材料将步骤8所得基板和盖板粘结起来，完成有机发光二极管封装结构的制备。