[发明专利]半导体发光装置

说明书

本申请要求于2012年5月25日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0055966号韩国专利申请的优先权，该申请的全部公开内容通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体发光装置。

背景技术

发光二极管（LED）是一种能够在将电流施加于其上时根据p型和n型半导体结处的电子空穴复合而产生各种颜色的光的半导体装置。与灯丝类发光装置相比，半导体发光装置具有诸如长寿命、低功耗、优异的初始驱动特性、高的耐震性等的各种优点。因此，对半导体发光装置的需求已经持续增长。

半导体发光装置的发光效率取决于内部量子效率和光提取效率。光提取效率可以由发光装置的光学因素（例如，每个结构的折射率和/或界面平面度等）决定。发光装置的结构（例如，半导体材料）可以具有2.5或更高的折射率，并且在红色（或者带红色的颜色组）的情况下可以具有3.0或更高的折射率。因此，即使内部量子效率相对高时，光提取率仍然低，从而不能够获得高的光功率。

发明内容

本公开的目的在于提供一种具有提高的光功率的半导体发光装置。

根据本公开的一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由Al_xGa_yIn_1-x-yP（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）或Al_zGa_1-zAs（0≤z≤1）形成；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层可以包括由(Al_vGa_1-v)_0.5In_0.5P（0.7≤v≤1）或Al_wIn_1-wP（0≤w≤1）形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层。

低折射率表面层可以由Al_wIn_1-wP（0.3≤w＜1）形成。

所述半导体发光装置还可以包括设置在低折射率表面层和活性层之间的中间层，所述中间层的折射率可以大于低折射率表面层的折射率。

中间层可以由Al_uIn_1-uP（0≤u≤v,w）形成。

中间层可以由Al_mGa_nIn_1-m-nP（0≤m≤1，0≤n≤1）形成。

所述半导体发光装置还可以包括设置在低折射率表面层和活性层之间的多个中间层，其中，所述多个中间层的折射率可以沿朝着低折射率表面层的方向逐渐减小。

所述多个中间层可以由Al_uIn_1-uP（0≤u≤1）形成，所述多个中间层中的铝（Al）的比例可以沿朝着低折射率表面层的方向逐渐增加。

所述多个中间层可以由Al_mGa_nIn_1-m-nP（0.3≤m≤1，0≤n≤1）形成，所述多个中间层中的铝（Al）的比例可以沿朝着低折射率表面层的方向逐渐增加。

所述半导体发光装置还可以包括形成在低折射率表面层上的抗反射层。

抗反射层可以由氮化硅或氧化硅形成。

所述半导体发光装置还可以包括电连接到第一导电类型半导体层的第一电极和电连接到第二导电类型半导体层的第二电极。

所述半导体发光装置还可以包括设置在第一导电类型半导体层与第一电极之间的第一接触层和设置在第二导电类型半导体层与第二电极之间的第二接触层。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括不规则表面。

不规则表面可以背对活性层。

不规则表面可以与空气形成界面。