[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：

第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层，由Al_xGa_yIn_1-x-yP或Al_zGa_1-zAs形成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，0≤z≤1；

活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，

其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由（Al_vGa_1-v)_0.5In_0.5P或Al_wIn_1-wP形成并且具有凹入和突起的低折射率表面层，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中，低折射率表面层具有Al_wIn_1-wP的组分，其中，0.3≤w＜1。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在低折射率表面层和活性层之间的中间层，所述中间层的折射率大于低折射率表面层的折射率。

4.如权利要求3所述的半导体发光装置，其中，中间层具有Al_uIn_1-uP的组分，其中，0≤u≤v,w。

5.如权利要求3所述的半导体发光装置，其中，中间层具有Al_mGa_nIn_1-m-nP的组分，其中，0≤m≤1，0≤n≤1。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在低折射率表面层和活性层之间的多个中间层，其中，所述多个中间层的折射率沿朝着低折射率表面层的方向逐渐减小。

7.如权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述多个中间层由Al_uIn_1-uP形成，所述多个中间层中的铝的比例沿朝着低折射率表面层的方向逐渐增加，其中，0≤u≤1。

8.如权利要求6所述的半导体发光装置，其中，所述多个中间层由Al_mGa_nIn_1-m-nP形成，所述多个中间层中的铝的比例沿朝着低折射率表面层的方向逐渐增加，其中，0.3≤m≤1，0≤n≤1。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括形成在低折射率表面层上的抗反射层。

10.如权利要求9所述的半导体发光装置，其中，抗反射层由氮化硅或氧化硅形成。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括电连接到第一导电类型半导体层的第一电极和电连接到第二导电类型半导体层的第二电极。

12.如权利要求11所述的半导体发光装置，所述半导体发光装置还包括设置在第一导电类型半导体层与第一电极之间的第一接触层和设置在第二导电类型半导体层与第二电极之间的第二接触层。

13.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：

第一导电类型半导体层；

第二导电类型半导体层；

活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间，

其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括不规则表面。

14.如权利要求13所述的半导体发光装置，其中，不规则表面背对活性层。

15.如权利要求13所述的半导体发光装置，其中，不规则表面与空气形成界面。

16.如权利要求13所述的半导体发光装置，其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一层包括由(Al_vGa_1-v)_0.5In_0.5P或Al_wIn_1-wP形成的低折射率表面层，其中，0.7≤v≤1，0≤w≤1，不规则表面形成在低折射率表面层上。