[发明专利]一种阴极及其制备方法和有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201310196575.0 | 申请日: | 2013-05-23 |
公开(公告)号: | CN104183775A | 公开(公告)日: | 2014-12-03 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;陈吉星;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阴极 及其 制备 方法 有机 电致发光 器件 | ||
1.一种阴极,其特征在于,所述阴极包括依次层叠的石墨烯薄膜、p型层和n型层,所述p型层的材质为碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼掺杂到酞菁类物质形成的混合材料,所述碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼在酞菁类物质中的掺杂质量分数为1%~10%,所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁氧钒、酞菁氧钛或酞菁铂;所述n型层的材质为碱金属化合物掺杂到有机物中形成的混合材料,所述碱金属化合物在有机物中的掺杂质量分数为5%~50%,所述碱金属化合物为碳酸锂、碳酸铷、叠氮化铯或碳酸铯,所述有机物为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或8-羟基喹啉铝。
2.如权利要求1所述的阴极,其特征在于,所述石墨烯薄膜的厚度为40nm~100nm,所述p型层的厚度为4nm~10nm,所述n型层的厚度为5nm~20nm。
3.一种制备阴极的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供所需尺寸的玻璃基板,清洗后干燥;
将玻璃基板置于气相沉积室中,通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa~1000Pa,随后将气相沉积室温度升温至600℃~1000℃,再通入碳源气体使气相沉积室的压强维持在10Pa~1000Pa,在所述玻璃基板上采用气相沉积的方法制备石墨烯薄膜;
在石墨烯薄膜上依次真空蒸镀p型层和n型层,得到所述阴极;所述p型层的材质为碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼掺杂到酞菁类物质中形成的混合材料,所述碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼在酞菁类物质中的掺杂质量分数为1%~10%;所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁氧钒、酞菁氧钛或酞菁铂;所述n型层的材质为碱金属化合物掺杂到有机物中形成的混合材料,所述碱金属化合物在有机物中的掺杂质量分数为5%~50%,所述碱金属化合物为碳酸锂、碳酸铷、叠氮化铯或碳酸铯,所述有机物为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或8-羟基喹啉铝,所述真空度为1×10-5~1×10-3Pa,所述蒸镀速率为0.01~1nm/s。
4.如权利要求3所述的阴极的制备方法,其特征在于,所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一种或多种。
5.如权利要求3所述的阴极的制备方法,其特征在于,所述石墨烯薄膜的厚度为40nm~100nm,所述p型层的厚度为4nm~10nm,所述n型层的厚度为5nm~20nm。
6.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基板、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层,空穴注入层和阳极,所述阴极为依次层叠的石墨烯薄膜、p型层和n型层,所述p型层的材质为碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼掺杂到酞菁类物质形成的混合材料,所述碘化亚铜、三氧化铼或三氧化钼在酞菁类物质中的掺杂质量分数为1%~10%,所述酞菁类物质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁氧钒、酞菁氧钛或酞菁铂;所述n型层的材质为碱金属化合物掺杂到有机物中形成的混合材料,所述碱金属化合物在有机物中的掺杂质量分数为5%~50%,所述碱金属化合物为碳酸锂、碳酸铷、叠氮化铯或碳酸铯,所述有机物为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯)、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲或8-羟基喹啉铝。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述石墨烯薄膜的厚度为40nm~100nm,所述p型层的厚度为4nm~10nm,所述n型层的厚度为5nm~20nm。
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