[发明专利]铝衬垫形成方法无效
| 申请号： | 201310195605.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103280411A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赵万金;刘睿;龙吟;倪棋梁;陈宏璘 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬垫 形成 方法 | ||
1.一种铝衬垫形成方法，包括将铝衬垫分至少两次沉积，其中，第一次沉积的温度低于第二次沉积的温度。
2.如权利要求1所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
进行第一次沉积，在所述半导体衬底上沉积第一铝层；
进行第二次沉积，在所述第一铝层上沉积第二铝层。
3.如权利要求2所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一次沉积和第二次沉积在不同的反应腔进行。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一铝层的厚度为铝衬垫的厚度的1/8～1/4。
5.如权利要求4所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一铝层的厚度
6.如权利要求1-3中任意一项所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一次沉积的温度为100℃～220℃。
7.如权利要求6所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一次沉积的温度为200℃。
8.如权利要求1-3中任意一项所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第一次沉积的直流电功率为28千瓦～35千瓦。
9.如权利要求1-3中任意一项所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第二次沉积的温度为250℃～300℃。
10.如权利要求9所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第二次沉积的温度为270℃。
11.如权利要求1-3中任意一项所述的铝衬垫形成方法，其特征在于，所述第二次沉积的直流电功率为20千瓦～25千瓦。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
