[发明专利]一种便于测量芯片温度的功率半导体模块无效

专利信息
申请号: 201310195435.1 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103344347A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 颜辉;陈雪筠;孙祥玉;邵凌翔 申请(专利权)人: 常州瑞华电力电子器件有限公司
主分类号: G01K1/14 分类号: G01K1/14;G01K13/00;H01L23/00
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 周祥生;尹丽
地址: 213200*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 便于 测量 芯片 温度 功率 半导体 模块
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体技术,尤其涉及一种功率半导体模块。

背景技术

电力电子技术是应用电力电子器件来实现对电能的多种变换和控制,采用这项技术制造的电力电子装置实现了用弱电控制强电的功能,具有节能、降耗、省材,提高用电质量等优点,因此电力电子技术被认为是新兴产业和改造传统产业的基础,电力电子器件是电力电子技术的核心和关键,它又被称之为功率半导体器件,在生产过程中需要进行严格的参数测试和筛选,其中很多参数涉及到在一定高的温度下进行测试,温度的高低直接影响测试的数据,温度控制的精度也很大程度影响器件参数的测试精度。一般情况下,为有效保证功率半导体器件在使用过程中的寿命,行业中常规会对整个器件的芯片工作温度做出相关规定,由于功率半导体器件当中使用的芯片为主要原材料,而芯片本身对于温度这一因素要求很高,器件正常使用过程中芯片会由于通流而产生极大的热量,且器件封装好之后整个芯片都是内置于器件内部,实际无法有效测量温度,所以为保证芯片的性能,行业的专家们进行了各种各样的实验,最后以测量器件管壳温度来推算芯片温度。但由于现在器件在制作过程中使用的材料不同,使用的工艺也不同,这就使得以上的推算存在了极大的不准确性,现在为了解决上述问题研究出一种便于测量芯片温度的功率半导体模块。

发明内容:

本发明的目的是提供一种便于测量芯片温度的功率半导体模块。

本发明采取的技术方案如下:

一种便于测量芯片温度的功率半导体模块,包括芯片、绝缘片、金属化膜、管壳和焊锡层,芯片位于绝缘片的上端,在绝缘片的上下两面均设置有金属化膜,管壳设置在绝缘片的下端,在芯片与绝缘片和管壳之间设置有焊锡层,使各个部位紧密连接,其特征是:还包括温度传感器,所述温度传感器设置在芯片上。

进一步,所述温度传感器通过焊锡层焊接在芯片上。

由于本发明直接在芯片上设置温度传感器,所述温度传感器直接与测温装置相连接,这样就使得当整个模块通上电流之后,就可以通过芯片上的温度传感器来对芯片进行温度测试,从而更直观的得到芯片的工作温度,这样测量下来的结果也更准确,仅仅在芯片上设置温度传感器,不会增加生产难度,也能够提高整个模块的生产效率,使得芯片的温度更加的符合工作要求。

附图说明:

图1为本发明中的结构示意图;

图中,1-芯片;2-绝缘片;3-金属化膜;4-管壳;5-焊锡层;6-温度传感器。

具体实施方式:

下面结合附图说明本发明的具体实施方式:

一种便于测量芯片温度的功率半导体模块,如图1所示,它由芯片1、绝缘片2、金属化膜3、管壳4、焊锡层5和温度传感器6组成,芯片1位于绝缘片2的上端,在绝缘片2的上下两面均设置有金属化膜3,然后将管壳4设置在绝缘片2的下端面,在芯片1与绝缘片2和管壳4之间设置有焊锡层5,使各个部位紧密连接,温度传感器6通过焊锡层5焊接在芯片1上。

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