[发明专利]一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310194669.4 申请日: 2013-05-23
公开(公告)号: CN103241740A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 沈晓东;刘国钧;唐云俊;杨小旭;蒋红彬 申请(专利权)人: 苏州金瑞晨科技有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;B82Y30/00
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人: 刘宪池
地址: 215000 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 硅氢壳层 纳米 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)在直流电弧等离子发生器中通入保护气氛,将硅棒装入发生器阳极中并成为阳极的一部分,制得1-50微米的球形硅微粒;

2)在保护气氛下将步骤1得到的微米级球形硅进行物理研磨,同时通入60份-80份的醇化合物、20份-35份的有机物和5份-10份的酸性物质,所述酸性物质通过物理研磨清除微米硅表面的氧化物等杂质,所述有机物接枝到纳米球硅表面形成硅氢保护壳层,温度控制在60℃-80℃;在物理研磨和化学接枝反应的双重作用下,微米级纳米硅粒形成形状规整的纳米级球形硅粒,并且在硅粒表面形成硅氢化合物保护壳层;

 3)经步骤2研磨后的纳米级球形硅粒经过清洗后再喷雾干燥,使其含水量控制在1%以下,将纳米球硅收集后在保护气氛下包装即可。

2. 根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,步骤(1)中直流电弧等离子发生器的电压、电流控制参数为:初始电压为300 V,电流为16.7 A;放电时,电压降至10-20 V,电流升至250 A,时间为120分钟~240分钟。

3. 根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,步骤(2)物理研磨参数为Ⅰ)球粒材质大小在1-10 mm范围内以不同比例混合;Ⅱ)球粒材质为碳化硅、氧化锆、氮化硅或玛瑙石;Ⅲ)球磨速度范围在100-450 RPM;Ⅳ)球磨时间在2-10小时;Ⅴ)研磨温度为室温。

4.根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述醇化合物为异丙醇或乙醇。

5.根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述有机物为丙酮、甲苯、正十二烯或苯乙炔。

6.根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述酸性物质为氢氟酸、硝酸、盐酸中一种或者多种酸性溶液的混合物。

7.根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氮气或者氩气。

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