[发明专利]一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法有效
| 申请号: | 201310194669.4 | 申请日: | 2013-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN103241740A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 沈晓东;刘国钧;唐云俊;杨小旭;蒋红彬 | 申请(专利权)人: | 苏州金瑞晨科技有限公司 |
| 主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 刘宪池 |
| 地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 硅氢壳层 纳米 制备 方法 | ||
1.一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)在直流电弧等离子发生器中通入保护气氛,将硅棒装入发生器阳极中并成为阳极的一部分,制得1-50微米的球形硅微粒;
2)在保护气氛下将步骤1得到的微米级球形硅进行物理研磨,同时通入60份-80份的醇化合物、20份-35份的有机物和5份-10份的酸性物质,所述酸性物质通过物理研磨清除微米硅表面的氧化物等杂质,所述有机物接枝到纳米球硅表面形成硅氢保护壳层,温度控制在60℃-80℃;在物理研磨和化学接枝反应的双重作用下,微米级纳米硅粒形成形状规整的纳米级球形硅粒,并且在硅粒表面形成硅氢化合物保护壳层;
3)经步骤2研磨后的纳米级球形硅粒经过清洗后再喷雾干燥,使其含水量控制在1%以下,将纳米球硅收集后在保护气氛下包装即可。
2. 根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,步骤(1)中直流电弧等离子发生器的电压、电流控制参数为:初始电压为300 V,电流为16.7 A;放电时,电压降至10-20 V,电流升至250 A,时间为120分钟~240分钟。
3. 根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,步骤(2)物理研磨参数为Ⅰ)球粒材质大小在1-10 mm范围内以不同比例混合;Ⅱ)球粒材质为碳化硅、氧化锆、氮化硅或玛瑙石;Ⅲ)球磨速度范围在100-450 RPM;Ⅳ)球磨时间在2-10小时;Ⅴ)研磨温度为室温。
4.根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述醇化合物为异丙醇或乙醇。
5.根据权利要求1所述具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述有机物为丙酮、甲苯、正十二烯或苯乙炔。
6.根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述酸性物质为氢氟酸、硝酸、盐酸中一种或者多种酸性溶液的混合物。
7.根据权利要求1所述的具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法,其特征在于,所述保护气氛为氮气或者氩气。
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