[发明专利]静电放电保护结构

权利要求书

1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底表面平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管，所述N型横向扩散场效应晶体管包括源极、漏极、位于源极与漏极之间的沟道区和位于所述沟道区表面的栅极；

位于所述半导体衬底内的P型体区，所述P型体区内具有源极、沟道区和与所述P型体区电连接的体区连接区，所述体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧；

每一个N型横向扩散场效应晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的源极与接地端相连接，每一个N型横向扩散场效应晶体管的栅极与第一控制电压端相连接，每一个体区连接区与第二控制电压端相连接；当所述第一控制电压端或第二控制电压端的电压大于0伏时，产生所述第一控制电压端或第二控制电压端的电压的电路为：第一电容与第一电阻串联形成RC电路，所述第一电容的一端与静电放电输入端相连接，所述第一电阻的一端与接地端相连接，所述第一电容与第一电阻相连接的一端作为电压输出端，所述电压输出端与第一控制电压端或第二控制电压端相连接。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一控制电压端的电压大于0伏且小于所述N型横向扩散场效应晶体管的阈值电压，所述第二控制电压端接地。

3.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一控制电压端的电压大于0伏且小于所述N型横向扩散场效应晶体管的阈值电压，所述第二控制电压端的电压大于0伏。

4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一控制电压端接地，所述第二控制电压端的电压大于0伏。

5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一控制电压端和第二控制电压端的电压大于0伏且小于所述N型横向扩散场效应晶体管的阈值电压。

6.如权利要求3、4或5所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：所述第二控制电压端与第二电阻的一端相连接，所述第二电阻的另一端与接地端相连接。

7.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一控制电压端、第二控制电压端接地。

8.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述N型横向扩散场效应晶体管包括：位于半导体衬底内的N型阱区；位于N型阱区内的P型体区，位于所述P型体区内的相邻的源极和体区连接区，位于所述源极一侧且与体区连接区相对的栅极，且所述栅极横跨所述N型阱区和P型体区的边界，所述位于栅极下方的P型体区作为沟道区；位于所述栅极另一侧且位于N型阱区内的漏极，所述漏极与栅极不接触。

9.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述N型横向扩散场效应晶体管包括：位于半导体衬底内的P型体区，位于P型体区内的N型阱区；位于所述P型体区内的相邻的源极和体区连接区，位于所述源极一侧且与体区连接区相对的栅极，且所述栅极横跨所述N型阱区和P型体区的边界，所述位于栅极下方的P型体区作为沟道区；位于所述N型阱区内的漏极，所述漏极与栅极不接触。

10.如权利要求8或9所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述漏极与栅极之间的N型阱区内具有浅沟槽隔离结构。

11.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述源极与体区连接区之间具有浅沟槽隔离结构。

12.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，每两个相邻的N型横向扩散场效应晶体管共用漏极。