[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201310190278.5 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183533A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化硅层和图案化的光刻胶层；
根据所述图案化的光刻胶层刻蚀所述垫氮化硅层和所述垫氧化层露出所述半导体衬底，以形成第一开口；
去除所述图案化的光刻胶层；
在所述第一开口的侧壁上形成聚合物层，以形成第二开口；
根据所述第二开口刻蚀所述半导体衬底，以形成沟槽；
去除所述聚合物层；
圆化露出的所述沟槽的底部以及所述沟槽的顶部和所述半导体衬底的交界处。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位灰化工艺去除所述图案化的光刻胶层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一开口进行冲洗工艺以形成所述聚合物层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述冲洗工艺采用的气体为氮气。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述垫氮化硅层和所述图案化的光刻胶层之间还依次形成有硬掩膜层和电介质抗反射涂层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在采用原位灰化工艺去除所述图案化的光刻胶层的同时还去除所述硬掩膜层和所述电介质抗反射涂层。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为无定形碳。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述原位灰化工艺采用的气体为氧气。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述聚合物层采用的气体为氧气或氮气或二氧化碳或一氧化碳。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括有源区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
