[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310190232.3 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183539A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 赵简;曹轶宾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层；
在所述低k介电层中形成铜金属互连结构；
去除通过所述铜金属互连结构露出的蚀刻停止层；
分三步实施蚀刻后处理过程。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻后处理包括对所述半导体衬底执行第一湿法清洗的步骤，采用的清洗液为稀释的氢氟酸。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一湿法清洗之后，对所述半导体衬底执行第二湿法清洗，采用的清洗液为EKC。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二湿法清洗之后，将所述半导体衬底置于离心机中利用高速旋转所产生的离心力去除残留的EKC和稀释的氢氟酸，随后用去离子水冲洗所述半导体衬底并对其进行干燥处理。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述稀释的氢氟酸的浓度为0.05-0.5%。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属互连结构包括：在所述硬掩膜层中形成第一开口，以露出所述缓冲层；在所述缓冲层和所述低k介电层中形成第二开口；以所述硬掩膜层为掩膜，同步蚀刻所述缓冲层和所述低k介电层，以在所述低k介电层中形成所述铜金属互连结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一开口用作所述铜金属互连结构中的沟槽的图案，所述第二开口用作所述铜金属互连结构中的通孔的图案。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述蚀刻后处理之后，还包括在所述铜金属互连结构中形成铜金属层的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述铜金属层之前，还包括在所述铜金属互连结构的底部和侧壁上依次形成铜金属扩散阻挡层和铜金属种子层的步骤。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缓冲层由自下而上层叠的八甲基环化四硅氧烷层和正硅酸乙酯层构成。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层由自下而上层叠的金属硬掩膜层和氧化物硬掩膜层构成。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属硬掩膜层的构成材料为TiN、BN、AlN或者其组合。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜层的构成材料包括SiO2或SiON，且相对于所述金属硬掩膜层的构成材料具有较好的蚀刻选择比。
14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法蚀刻工艺实施所述蚀刻停止层的去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
