[发明专利]电容式触摸屏的制造方法在审
| 申请号： | 201310188573.7 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104142764A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 黄俊雄 | 申请（专利权）人： | 贵州达沃斯光电有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市高新*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 触摸屏 制造 方法 | ||
1.一种电容式触摸屏的制造方法，包括：
步骤S1：提供一玻璃基板，其尺寸对应于一个终端产品的尺寸；
步骤S2：强化该玻璃基板；及
步骤S3：在强化后的玻璃基板上成型ITO薄膜，利用激光束将ITO薄膜融化及气化后成型。
2.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：该激光束通过光学系统聚焦后形成直径小于0.03mm的光斑，能量密度为108w/cm～1080w/cm。
3.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：其进一步包括步骤S4：通过丝印的方式在玻璃基板上形成图案层，该图案层的材料为油墨。
4.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：步骤S2包括：
S21：将该玻璃基板送入强化炉进行强化处理，且在该玻璃基板送入强化炉前在该玻璃基板之凹槽处涂抹保护药品；及
S22：在玻璃基板的第一表面和第二表面上分别进行表面处理。
5.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：步骤S3中，是在130℃-230℃的温度条件下，将ITO薄膜溅镀到玻璃基板上。
6.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：其进一步包括步骤S5：利用网版印刷的方式将导体端子处的引脚转印至ITO成型后的触摸屏上。
7.如权利要求6所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：导体转印至触摸屏后，利用恒温压合机将FPC压合于触摸屏上。
8.如权利要求1所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：其进一步包括步骤S6：在触摸屏表面贴附一层防护膜。
9.如权利要求8所述的电容式触摸屏的制造方法，其特征在于：利用贴合机在ITO表面贴附一层ASF(防爆膜，Anti scattering film)。
10.一种电容式触摸屏的制造方法，包括：
步骤S21：提供一玻璃基板；
步骤S22：强化该玻璃基板；
步骤S23：通过丝印的方式在玻璃基板上形成图案层，该图案层的材料为油墨；
步骤S24，在130℃-230℃的温度条件下，将ITO薄膜溅镀到玻璃基板上；及
步骤S25：成型ITO薄膜，利用激光束通过光学系统聚焦后形成直径小于0.03mm的光斑，获得108w/cm～1080w/cm的能量密度将ITO薄膜融化及气化后成型。
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