[发明专利]一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310185393.3 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103304251A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 杨建锋;刘波波;史永贵;景文甲;徐照芸;王波;鲍崇高 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B38/00 | 分类号： | C04B38/00;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 sic 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）按碳化硅80～99.5％,B4C粉0.5～20％的质量百分比，将两组份称量，球磨混合均匀；
（2）将混合粉料装入石墨坩埚内；
（3）将装有粉料的石墨坩埚装入感应烧结炉的圆柱筒中，在坩埚顶部盖上石墨纸或石墨盖；
（4）将感应烧结炉的圆柱筒盖严，抽真空至炉内压力小于103Pa，充入氩气至炉内压力大于4×104Pa；
（5）将石墨坩埚加热至2100～2600℃，石墨纸处的温度为1900～2100℃，将炉内压力减至小于2×104Pa，保温0.5～4h，使B4C掺杂的SiC粉料在坩埚顶部石墨纸或石墨盖下面形核生长，得到纯α-SiC颗粒材料。
2.如权利要求1所述的通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，其特征在于，所述坩埚顶部石墨纸或石墨盖上面设置上碳毡保温层。
3.如权利要求1所述的通孔结构的纯α-SiC材料的制备方法，其特征在于，所述将混合粉料装入石墨坩埚内的高度小于坩埚深度的2/3。
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