[发明专利]一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法无效

专利信息
申请号: 201310182429.2 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103241733A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 李美成;谷田生;周婵;陈召;宋丹丹;白帆 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 薄观玖
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 适于 大面积 石墨 无污染 褶皱 转移 方法
【权利要求书】:

1.一种适于大面积石墨烯无污染无褶皱的转移方法,其特征在于:石墨烯膜随水面液位平稳下降,使其一边先与倾斜放置于水中的目标基底结合;随后液面继续下降,利用水表面张力对石墨烯膜起到的“拉展”作用,使石墨烯膜稳定平展地铺在目标基底的预定位置上,其具体步骤如下:

a.金属基底的腐蚀:将用化学气相沉积法得到的“石墨烯-金属基底”轻放于腐蚀液中,使其浮于腐蚀液表面,经过足够时间,得到漂浮在腐蚀液表面的石墨烯膜;

b.腐蚀液的稀释:从入水口不断地通入超纯去离子水,从排水口不断地放出腐蚀液,入口和出口的流量相同,排水时保证液面的平稳,直至腐蚀液被全部排出;

c.放置目标基底:将目标基底固定在容器底部的支架上,目标基底与容器底平面保持适当夹角,调整支架的位置来保证石墨烯落到目标位置;

d.转移石墨烯到目标基底:打开排水口并调节流量,保证一定的液面下降速度,使石墨烯膜随着液面的下降平展而精准地转移到目标基底上;

e.石墨烯的清洗干燥:用超纯去离子水冲洗“石墨烯-目标基底”5~8次,在真空干燥箱中烘干,置于清洁干燥环境中保存。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:用于配制溶液和冲洗的超纯去离子水电阻率在17Ω·cm以上。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤a中采用的金属基底为能够利用化学气相沉积法制备石墨烯的金属基底。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:所述步骤a中采用的金属基底为铜箔或镍箔。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤a中采用的腐蚀液为FeCl3溶液或Fe(NO3)3溶液,其浓度为0.5~3mol/L,腐蚀温度为25℃~60℃。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤c中目标基底根据器件需要进行选择。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于:所述步骤c中目标基底为单晶硅片或二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤c中采用的支架倾角为30°~70°。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤d中采用的液面下降速度为0.5~3mm/s。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述步骤e中采用的真空干燥箱中的温度为30℃~70℃。

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