[发明专利]具电磁干扰屏蔽的半导体封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装体，其特征在于，包括:

半导体芯片；

微结构件，配置在该半导体芯片的一上表面上；

导电件，配置在该半导体芯片的该上表面上，该导电件围绕该微结构件而划分出该微结构件的范围，且该导电件形成一凹穴，该微结构件在该凹穴中；以及

屏蔽物，配置在该导电件、该凹穴以及该微结构件上以提供该微结构件电磁干扰屏蔽。

2.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该导电件延伸至该芯片的一周围。

3.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该导电件设置在该芯片的一周围。

4.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该屏蔽物包括基层以及金属屏蔽层，该金属屏蔽层覆盖在该基层。

5.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该屏蔽物在覆盖该微结构件的区域包括第一厚度，而在未覆盖该微结构件的区域包括第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度。

6.如权利要求5所述的半导体封装体，其中该微结构件包括第一微结构件及第二微结构件，该屏蔽物包括该第一厚度，该第一厚度位在覆盖该第一微结构件及该第二微结构件的区域，且该第二厚度位在未覆盖该第一微结构件及该第二微结构件的区域。

7.如权利要求1所述的半导体封装体，其中该半导体芯片包括至少一穿孔，且该屏蔽物电连接于该导电件及该至少一穿孔。

8.一种半导体封装体，其特征在于，包括:

半导体芯片；

微结构件，配置在该半导体芯片的一上表面上；

导电件，配置在该半导体芯片的该上表面上，该导电件围绕该微结构件而划分出该微结构件的范围；以及

屏蔽物，配置在该微结构件上以提供该微结构件电磁干扰屏蔽，其中该屏蔽物在覆盖该微结构件的区域包括第一厚度，而在未覆盖该微结构件的区域包括第二厚度，且该第一厚度小于该第二厚度。

9.如权利要求8所述的半导体封装体，其中该屏蔽物包括开口，该开口暴露一空间于外在环境，该空间在该屏蔽物之下而环绕该微结构件。

10.一种形成半导体封装体的方法，其特征在于，包括:

提供一半导体晶片，该半导体晶片具有多个子单元；

设置至少一微结构件在各该子单元；

电连接该微结构件与该半导体晶片；

形成多个导电件在该半导体晶片上，各该导体件环绕至少一该微结构件且形成多个凹穴，该些微结构件在该凹穴中；以及

配置一屏蔽物在该些导体件上以将该些微结构件封闭在该些凹穴。