[发明专利]一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蚀刻液及其制备方法，尤其涉及一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法。

背景技术

电子化学品一般是指为电子工业配套的专用化学品，而超高纯湿电子化学品主要包括集成电路和分立器件用化学品、晶体硅太阳能用化学品和平板显示用化学品等，其具有质量要求高、功能性强、对生产及使用环境洁净度要求高和产品更精纯。现有的二氧化硅蚀刻液，存在很多缺陷，如蚀刻速度慢，精度低，不能满足客户需求。

发明内容

本发明提供一种二氧化硅蚀刻液及其制备方法，能够提高蚀刻速度和精度，来满足不同客户的需求，包括以下重量百分比的组合物：氟化铵溶液20％～30％，氢氟酸3％～6％，余量为超纯水。

上述二氧化硅蚀刻液，其中，所述氟化铵溶液的浓度为40％(重量百分比)。

上述二氧化硅蚀刻液，其中，所述氢氟酸的浓度为49％(重量百分比)。

本发明还提供了一种二氧化硅蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：称取一定量的氟化铵溶液，在搅拌下加入氢氟酸，充分搅拌15分钟；然后加超纯水，搅拌45分钟；

其中氟化铵的重量百分比为20％～30％，氢氟酸的重量百分比为3％～6％，余量为水；

接着将制得的混合物经0.5μm的过滤器过滤，以去除混合物中粒径大于0.5μm的有害粒子，即得二氧化硅蚀刻液。

本发明提供的一种蚀刻液经过精密混配，过滤等操作，去除产品中的杂质，蚀刻精度高，速度快，完全满足极大规模集成电路的生产工艺。

具体实施方式

下面通过实施例描述本发明，但不限于所举实施例。

(1)将电子级硝酸电加热精馏，温度控制在110℃±10℃；

(2)将步骤(1)所得产物通过吹白反应釜用氮气去除馏分中的二氧化氮，使其透明无色；

(3)将步骤(2)所得产物放入混配罐，加适量超纯水，搅拌30分钟；

(4)将步骤(3)所得产物通过0.2μm的过滤器过滤，以除去混合物中粒径大于0.2μm的有害粒子，即得此超高纯硝酸；

上述一种超高纯硝酸的制备方法，其中：所述步骤(1)中硝酸相对密度为1.40～1.42。

所述步骤(3)中硝酸浓度控制在65±0.5％。

本发明提供一种超高纯硝酸的制备方法，采用上述方式制得的超高纯硝酸杂质少，纯度高的硝酸，能达到PPT等级，完全满足极大规模集成电路的生产工艺。