[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基板；

扫描线，在所述基板上形成并且传递扫描信号；

数据线和驱动电压线，与所述扫描线交叉并分别传递数据信号和驱动电压；

与所述扫描线和所述数据线连接的开关薄膜晶体管；

与所述开关薄膜晶体管和所述驱动电压线连接的驱动薄膜晶体管；以及

与所述驱动薄膜晶体管连接的有机发光二极管；

所述驱动薄膜晶体管包括：

包括驱动沟道区、驱动源区和驱动漏区的驱动半导体层，所述驱动沟道区介于所述驱动源区和所述驱动漏区之间；

覆盖所述驱动半导体层的第一栅绝缘层；

第一浮置栅电极，在所述第一栅绝缘层上形成且在与所述驱动沟道区对应的位置处形成；

覆盖所述第一栅绝缘层和所述浮置栅电极的第二栅绝缘层；以及

驱动栅电极，在所述第二栅绝缘层上形成且在与所述浮动栅电极对应的位置处形成。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，开关源区、开关漏区、所述驱动源区和所述驱动漏区的杂质掺杂浓度彼此相同。

3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示器，所述驱动栅电极的宽度和所述浮置栅电极的宽度之间的差的绝对值不大于4μm。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，第一浮置电容器形成在所述驱动栅电极和所述浮置栅电极之间且由C1限定，第二浮置电容器形成在所述浮置栅电极和所述驱动漏区之间且由C2限定，并且所述第一浮置电容器和所述第二浮置电容器的比C2/C1大于0且小于2。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，所述开关薄膜晶体管包括：

包括开关沟道区、开关源区和开关漏区的开关半导体层，所述开关沟道区介于所述开关源区和所述开关漏区之间；以及

在所述第一栅绝缘层上形成的开关栅电极，覆盖所述开关半导体层并且形成在与所述开关沟道区对应的位置处。

6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，所述开关栅电极与所述扫描线连接，并且所述浮置栅电极与所述扫描线分离。

7.一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括下列步骤：

在基板上形成开关半导体层和驱动半导体层；

形成覆盖所述开关半导体层和所述驱动半导体层的第一栅绝缘层；

在所述第一栅绝缘层上、与所述开关半导体层和所述驱动半导体层部分重叠的位置处分别形成开关栅电极和浮置栅电极；

通过使用所述开关栅电极和所述浮置栅电极作为掩膜，对所述开关半导体层和所述驱动半导体层掺杂杂质，以分别形成开关源区和开关漏区以及驱动源区和驱动漏区；

形成覆盖所述第一栅绝缘层、所述开关栅电极和所述浮置栅电极的第二栅绝缘层；以及

在所述第二栅绝缘层上的与所述浮置栅电极对应的位置处形成驱动栅电极。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示器的制造方法，所述开关源区、所述开关漏区、所述驱动源区和所述驱动漏区的杂质掺杂浓度彼此相同。

9.根据权利要求8所述的有机发光二极管显示器的制造方法，所述开关栅电极与传递扫描信号的扫描线连接并且与所述扫描线形成在同一层上。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管显示器的制造方法，所述浮置栅电极形成为与所述扫描线分离。

11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器的制造方法，进一步包括下列步骤：

在所述第二栅绝缘层和所述驱动栅电极上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成数据线和驱动电压线，所述数据线和所述驱动电压线与所述扫描线交叉并分别传递数据信号和驱动电压；

形成覆盖所述数据线和所述驱动电压线的上部的保护层；以及

在所述保护层上形成与所述驱动薄膜晶体管连接的有机发光二极管。