[发明专利]改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法

权利要求书

1.一种改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法至少包括以下步骤：

1）提供一基板，所述基板上形成有硬掩模层，所述硬掩膜层上形成有若干平行排列的线条；

2）测试所述线条的线宽；

3）沉积侧壁隔离层，所述侧壁隔离层覆盖所述线条外表面及所述硬掩模表面；

4）根据步骤2）中测得的线宽判断所需刻蚀时间，采用该刻蚀时间对所述侧壁隔离层进行刻蚀，直至在所述线条侧壁留下预设厚度的隔离墙，使相邻隔离墙之间的间隙宽度等于所述线条的线宽；

5）去除所述线条，根据步骤2）中测得的线宽确定刻蚀气体的比例，然后以所述预设厚度的隔离墙为掩模、并采用该比例的刻蚀气体对所述硬掩模层进行刻蚀，在所述硬掩模层中形成若干具有预设底部宽度的开口；

6）以刻蚀后的硬掩膜层为掩模，对所述基板进行刻蚀，在所述基板中形成分布均匀的若干凹槽。

2.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤5）中，所述刻蚀气体为CHF₃与CF₄，其中CHF₃与CF₄的体积比是x:1，0.01≤x≤100。

3.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：于所述步骤5）中，所述刻蚀气体为CH₂F₂与O₂，其中CH₂F₂与O₂的体积比是y:1，0.2≤y≤500。

4.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述步骤6）中形成的凹槽的宽度范围是5~2000 nm。

5.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述侧壁隔离层通过原子层沉积法得到。

6.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为单层、双层或多层结构。

7.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述硬掩膜的材料包括金属、金属氮化物、氮化硅、氧化硅或碳化硅中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的改善刻蚀后关键尺寸均匀性的方法，其特征在于：所述侧壁隔离层的材料为氧化物或氮化物。