[发明专利]一种WO3电致变色薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，采用射频磁控溅射技术，以WO₃陶瓷为阴极靶材，在ITO衬底上沉积WO₃薄膜，具体包括以下步骤：

步骤1、对ITO玻璃衬底进行清洗；

步骤2、将ITO玻璃衬底固定在射频磁控溅射设备真空室内的衬底平台上，将WO₃靶材安装在射频磁控溅射设备真空室内的靶位上，调节靶材与衬底之间的距离，对射频磁控溅射设备真空室抽真空；

步骤3、将氩气通入真空室，调节氩气气压，之后打开射频电源开关，靶材起辉后通入氧气，调节氩气与氧气流量，并调节闸板阀，使真空室内气压固定，之后对WO₃靶材进行预溅射清洗；

步骤4、加热衬底，使衬底达到所需温度；

步骤5、将衬底平台转至靶材正上方，转动挡板，使靶材与衬底间无遮挡，调节靶材与衬底之间的距离、氩气流量、氧气流量、衬底温度、溅射功率以及溅射时间这些工艺参数，在ITO玻璃上沉积WO₃薄膜；

步骤6、沉积结束后，依次关闭射频电源开关、衬底加热开关、分子泵以及机械泵，将挡板和衬底平台复位，待衬底在真空室中冷却到室温，打开真空室取出样品。

2.根据权利要求1所述的WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤1对ITO玻璃衬底进行清洗，具体为：将衬底依次浸入丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗，每阶段清洗的时间为10-20分钟，之后冷风吹干。

3.根据权利要求1所述的WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤2靶材与衬底之间的距离控制在5-10cm之间，射频磁控溅射设备真空室抽真空后的真空度小于或等于9×10^-4Pa。

4.根据权利要求1所述的WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤3中通入氩气后，真空室内气压控制在1-5Pa之间；通入氧气后，真空室气压控制在0.5-2Pa之间，氧气与氩气流量比为1:5至1:15；对WO₃靶材进行预溅射清洗的溅射功率为50-150W；靶材预溅射清洗时间为10-20分钟。

5.根据权利要求1所述的WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤4中所需温度为25-500℃。

6.根据权利要求1所述的WO₃电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，步骤5中靶材与衬底之间的距离为5-10cm，氧气与氩气流量比为1:5至1:15，溅射气压为0.5-2Pa；ITO衬底温度为25-500℃；溅射功率为50-150W；溅射时间为30-90分钟。