[发明专利]量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构及制造方法

权利要求书

1.量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构,包括外延层（22），及位于外延层（22）中的第一隔离槽（20）和平行于第一隔离槽，且位于第一隔离槽靠近硅片边界一侧的第二隔离槽（19）；第一隔离槽、第二隔离槽深度相同，且具有如下所述的相同结构：内部都有悬空场板，所述悬空场板与隔离槽内壁之间有栅氧化层，其特征在于：

所述第一隔离槽和第二隔离槽之间连接有短隔离槽（3），所述短隔离槽的结构与第一隔离槽和第二隔离槽相同，且短隔离槽的悬空场板连接第一隔离槽和第二隔离槽的悬空场板。

2.如权利要求1所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，还包括位于第二隔离槽靠近硅片边界一侧并与第二隔离槽结构相同的第三隔离槽（18），所述第三隔离槽和第二隔离槽之间连接有与第二隔离槽结构相同的短隔离槽（3），短隔离槽的悬空场板连接第二隔离槽和第三隔离槽的悬空场板。

3.如权利要求1所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，其特征在于：隔离槽之间的短隔离槽有多个，短隔离槽的分布间距是隔离槽距离的3至10倍。

4.如权利要求1所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，其特征在于：短隔离槽的分布间距是隔离槽距离的5倍。

5.如权利要求1所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，还具备如下特征：在第一隔离槽远离硅片边界一侧还有沟槽，沟槽远离硅片边界（17）一侧具有体区

（25）；体区上面还有源区（27）；

在硅片表面还具备隔离氧化层（29），在隔离氧化层上有与源区形成良好欧姆接触的源级接触结构（210）；

沟槽内部有栅电极板（24a），栅电极板与沟槽内壁之间还有栅氧化层（23）；

所述沟槽深度与隔离槽相同。

6.如权利要求5所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，所述沟槽具备至少如下之一特征：

A．沟槽的栅氧化层结构和成分与隔离槽相同；

B．沟槽的栅电极板与隔离槽的场板结构和成分相同。

7.如权利要求5所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，其特征在于：所述源区(27)的注入浓度比外延层(22)掺杂浓度大两个数量级。

8.如权利要求1所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构，包括位于外延下方的衬底，其特征在于：所述衬底电阻率为1~3‰ohm-cm。

9.量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构制造方法，用于制造包括如权利要求1至8任意一项所述量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构的硅片，其特征在于：包括制造短隔离槽的步骤，所述短隔离槽的制造是与第一隔离槽和第二隔离槽同步同时完成的。

10.如权利要求9所述的量子场分布的Trench MOSFET沟槽终端结构制造方法，其特征在于：所述沟槽的制造步骤全部包含于隔离槽的制造步骤中。