[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成假栅极堆叠；

在衬底中进行掺杂形成源漏区；

在源漏区上形成应力衬层，应力衬层的材质包括氮化硅、类金刚石无定形碳及其组合；

执行退火，激活源漏区中的掺杂剂，并同时提高应力衬层的致密性使得应力衬层在此后去除假栅极堆叠过程中在稀释氢氟酸中的刻蚀速率接近此后将要形成在应力衬层上的层间介质层的刻蚀速率；

在应力衬层上形成层间介质层；

去除假栅极堆叠，在层间介质层中留下栅极沟槽。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成源漏区的步骤进一步包括：

以假栅极堆叠为掩模，对衬底进行轻掺杂离子注入形成轻掺杂源漏(LDD)区和/或晕状(halo)源漏掺杂区；

在假栅极堆叠两侧衬底上形成栅极侧墙；

在栅极侧墙两侧衬底中形成重掺杂源漏区。

3.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，形成重掺杂源漏区的步骤进一步包括：

以栅极侧墙为掩模，对衬底进行重掺杂离子注入形成重掺杂源漏区；或者

以栅极侧墙为掩模，刻蚀衬底形成源漏沟槽，并在源漏沟槽中外延形成应力源漏区，外延形成应力源漏区的同时进行原位掺杂形成重掺杂源漏区。

4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，应力源漏区材质包括SiGe、Si:C、Si:H、SiSn、GeSn、SiGe:C及其组合，并且具有朝向沟道区突出的部分以增强沟道区应力。

5.如权利要求2的半导体器件制造方法，其中，栅极侧墙包括氮化硅、氧化硅、非晶碳、类金刚石无定形碳及其组合。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，在应力衬层上形成层间介质层之后、去除假栅极堆叠之前进一步包括平坦化层间介质层直至暴露假栅极堆叠；以及在去除假栅极堆叠之后进一步包括在栅极沟槽中填充高k材料的栅极介质层和金属材料的栅极导电层。

7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，填充栅极沟槽之后进一步包括：

刻蚀层间介质层形成暴露源漏区的源漏接触孔；

在源漏接触孔中源漏区上形成金属硅化物；

在金属硅化物上填充接触金属层形成接触塞。

8.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，应力衬层包括位于NMOS上的张应力衬层以及位于PMOS上的压应力衬层。

9.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，退火温度为500～1200摄氏度，退火时间为1ms～10min。