[发明专利]一种半导体突波抑制器封装体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体突波抑制器封装体结构，尤其是涉及一种具有高散热效果的半导体突波抑制器封装体结构，属于半导体技术领域。

背景技术

目前的半导体制备方法中所设计的突波抑制器封装体，皆采用锭粒型的环氧树脂(epoxy)进行封装。而采用锭粒型环氧树脂进行封装的方式需要使用模具机器进行合模，任何封装体样式或形状的改变，都必须大费周章的修改及更换模具，导致很大的工时耗费，并造成封装体结构设计上的自主性不佳。

半导体突波抑制器封装体采用锭粒型的环氧树脂进行组件封装的做法为：先将环氧树脂加温至软化温度，然后把软化的环氧树脂加压注射至模具里，并持续升温至树脂的玻璃化转移温度使树脂固化。因为树脂为一次性固化物质，经过玻璃化转移温度后的树脂便固定成型。而为求生产共享性，模具往往固定为一定大小。

图1为现有的轴式封装体的剖视图。

如图1所示：其为目前突波保护组件PT使用的一种轴式封装体ALP(Axial Lead Package)的剖面图。这种传统的封装方式，为了考虑共享性问题与可以容纳不同数量的突波保护组件PT堆栈进行封装，或者是以封装不同结构的产品来达到需要的瓦特数或产品特性，大多在轴式封装体ALP的设计结构上，将其长度拉长至预留较长的长度，以方便不同产品共享相同的模具。

如图1所示，突波保护组件PT的长度为Y1，轴式封装体ALP两端通常需预留长度分别为Y2及Y3的空间，使整个轴式封装体ALP长度成为Y1+Y2+Y3，其中Y2大于Y1，而且Y3大于Y1。

上述的现有的轴式封装体ALP，经常留有很大的浪费空间，并且又须迁就现成模具，使设计构想的发挥大打折扣。因此，便迫切需要设计一个高散热性、高可靠度、高稳定性及高设计弹性的半导体突波抑制器封装体结构。

发明内容

为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种具有高散热性、高可靠度、高稳定性及高设计弹性的半导体突波抑制器封装体结构。

为达到上述目的，本发明是通过以下的技术方案来实现的：

一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。

此外，还提供一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器包括至少两个PN接合型半导体晶粒和设置在相邻的PN接合型半导体晶粒之间且通过焊锡分别与相邻的PN接合型半导体晶粒电性相固接的导电铜片，所述的突波抑制器设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。

其中，上述的第一导电片和第二导电片均为铜片。

上述的涂覆层为凡立水（varnish）层，具有绝缘、防水、耐高温的功能。

上述的保护层材质为一次性固体粉末型环氧树脂。

而上述的第一引线和第二引线则均为实心铜线。

本发明的有益效果是：本发明所述的保护层厚度大幅减小，达到了更佳的散热效果；此外，本发明不须使用模具，达到节省成本并具有更好的生产便利性和设计灵活性；且本发明具有绝缘、防水、耐高温，以及更好的可靠度的特点。

附图说明  

图1为现有的轴式封装体的剖视图；

图2为本发明一实施例所述的一种半导体突波抑制器封装体结构剖视图；

图3为本发明一实施例所述的第一导电片和第二导电片剖视图；

图4为本发明一实施例所述的突波抑制器剖视图；

图5为本发明另一实施例所述的突波抑制器剖视图；

图6为本发明一实施例所述的涂覆层剖视图；