[发明专利]一种半导体突波抑制器封装体结构

权利要求书

1.一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器为一PN接合型半导体晶粒，其设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。

2.根据权利要求1所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的第一导电片和第二导电片均为铜片。

3.根据权利要求1或2所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的涂覆层为凡立水层。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的保护层材质为一次性固体粉末型环氧树脂。

5.根据权利要求1或2所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的第一引线和第二引线均为实心铜线。

6.一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，包括第一导电片、第二导电片、突波抑制器、涂覆层、保护层、第一引线和第二引线，所述的突波抑制器包括至少两个PN接合型半导体晶粒和设置在相邻的PN接合型半导体晶粒之间且通过焊锡分别与相邻的PN接合型半导体晶粒电性相固接的导电铜片，所述的突波抑制器设置在第一导电片和第二导电片中间，且分别与第一导电片和第二导电片以焊锡导电相连接，所述的涂覆层包覆在所述的第一导电片、第二导电片和突波抑制器的外部，而所述的保护层则包覆在涂覆层的外部，所述的涂覆层的厚度小于突波抑制器的长度，而所述的第一引线的一端与第一导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部，同样所述的第二导线的一端与第二导电片连接，另一端穿过涂覆层和保护层露在外部。

7.根据权利要求6所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的第一导电片和第二导电片均为铜片。

8.根据权利要求6或7所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的涂覆层为凡立水层。

9.根据权利要求6或7所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的保护层材质为一次性固体粉末型环氧树脂。

10.根据权利要求6或7所述的一种半导体突波抑制器封装体结构，其特征在于，所述的第一引线和第二引线均为实心铜线。