[发明专利]一种用于EUV真空环境中的电子学装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种EUV真空环境中的电子学装置。

背景技术

由于半导体行业对集成电路(IC,Integrated Circuits)的集成度要求越来越高，传统的可见光或者紫外光刻机已无法满足行业发展需求，市场需求性能更为优良的光刻设备来维持整个产业的高速发展势头。众所周知，光刻分辨率与投影物镜的数值孔径成反比，与曝光波长成正比。因此，为了提高光刻分辨率，下一代光刻机将采用波长更短的极紫外光（EUV,extreme ultra violet）来取代现有的可见光及紫外光，以进一步提高光刻分辨率和IC的集成度。

由于空气以及几乎所有的材料均对EUV光都具有强烈的吸收作用，导致EUV光刻环境与普通空气环境下的光刻机工作环境大不相同，EUV光刻机的内部工作环境必须是EUV（超）清洁真空状态，光刻机部件使用的所有材料及加工工艺流程都必须控制放气率。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

EUV真空腔由于需要调整光学元件、探测信号、驱动装置等电子学系统进行控制和检测，但是电子学系统放气率比较高，尤其是其中的印刷电路板（PCB,Printed Circuit Board）,由于PCB基板采用玻璃纤维布等有机高分子材料做为增强材料，经过浸泡树脂胶黏剂等工艺处理，所以PCB板在真空环境下会释放大量的气体及颗粒会挥发出有机污染物，该有机污染物会吸收EUV光，降低EUV光的传递效率，甚至将EUV光全部吸收，同时，该挥发性有机污染物落到镜片表面，导致镜片污染，直接影响光学元件的性能和寿命。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种用于EUV真空环境中的电子学装置，解决了现有技术中电子装置在真空环境中的会产生污染的技术问题，实现了真空腔的清洁、提高EUV光传递效率、提升光学元件性能和寿命的技术效果。

为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一种用于EUV真空环境中的电子学装置，位于一真空腔中，所述真空腔用于提供EUV光存在环境，所述电子学装置包括：一电子学系统，所述电子学系统位于所述真空腔内，且所述电子学系统用于实现EUV光刻系统的电子学功能；一密封壳体，所述密封壳体位于所述真空腔内，且所述密封壳体用于密封所述电子学系统，阻挡所述电子学系统所形成的污染物进入所述真空腔中。

进一步的，所述装置还包括：一密封件，所述密封件位于所述密封壳体与所述电子学系统的压合位置，用于实现所述密封壳体的密封性。

进一步的，所述装置还包括：一连接件，所述连接件位于所述真空腔和/或所述密封壳体上，用于连接传输线与外部设备。

进一步的，所述装置还包括：一温控器，所述温控器连接所述密封壳体，用于控制所述密封壳体内的温度。

进一步的，所述装置还包括：一导热件，所述导热件位于所述密封壳体内，且所述导热件与所述电子学系统连接，用于传导所述电子学系统的热量。

进一步的，所述温控器包括：第一温控管路，所述第一温控管路位于所述密封壳体的外部；第二温控管路，所述第二温控管路位于所述密封壳体的壳体上，且所述第二温控管路用于将温控物质输送至所述密封壳体的壳体上或所述密封壳体的内部空间；温控连接头，所述温控连接头与所述密封壳体和/或所述真空腔连接，且所述温控连接头用于密封所述第一温控管路与所述密封壳体和/或所述真空腔的连接处；温控动力装置，所述温控动力装置位于第一温控管路上，且所述温控动力装置用于提供动力，使温控物体在温控管路中流动。

进一步的，所述装置还包括：一传输线，所述传输线的一端与所述电子学系统连接，另一端与所述连接件或外部设备连接，用于实现所述电子学系统与外部设备之间的数据传输。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明实施例所提供的一种用于EUV真空环境中的电子学装置通过将电子学系统放入密封壳体内，使得电子学系统所散发的污染物不会进入真空腔中，达到了减少对EUV真空环境的污染，保证了EUV光的传递效率，提升了真空环境中的镜片的使用寿命的技术效果。

进一步的本发明实施例提供的温控器对密封壳体进行有效的控温，实现了电子学系统的有效工作，提升了EUV光刻系统的整体工作性能。

进一步的，本发明实施例提供的密封件达到对密封壳体与电子学系统中电路板的连接处的有效密封，进一步减少了密封壳体内的污染物进入真空腔的可能性。

附图说明