[发明专利]一种导电插塞和TSV的形成方法

权利要求书

1.一种导电插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底；

刻蚀所述半导体基底，在所述半导体基底内形成盲孔；

在所述盲孔的底部和侧壁以及半导体基底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成金属层，所述金属层填充满所述盲孔；

去除所述半导体基底上方部分厚度或全部厚度的所述金属层；

进行退火工艺后，再进行去除工艺使所述半导体基底表面完全暴露，形成导电插塞。

2.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，当去除所述半导体基底上方部分厚度的所述金属层时，保留在所述半导体基底上方的金属层的厚度小于所述金属层原厚度的5%。

3.如权利要求2所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，保留在所述半导体基底上方的金属层厚度为0～0.3μm。

4.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，去除部分厚度或全部厚度的所述金属层的方法为CMP工艺。

5.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述金属层的材质为铜。

6.如权利要求5所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述金属层的形成方法为铜电镀法。

7.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为400～600℃。

8.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，刻蚀所述半导体基底形成盲孔包括步骤：

在所述半导体基底上形成硬掩膜层；

图案化所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层内形成有开口；

以所述硬掩膜层为掩膜，沿着所述开口刻蚀所述半导体基底，在所述半导体基底内形成盲孔。

9.如权利要求1所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，在所述盲孔中以及基底上方形成所述金属层前，在所述绝缘层外侧形成金属屏蔽层。

10.如权利要求9所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述金属屏蔽层为钽层、氮化钽层或是钽和氮化钽的组合层。

11.如权利要求9所述的导电插塞的形成方法，其特征在于，所述金属屏蔽层的厚度为0.05～0.2μm。

12.一种TSV的形成方法，其特征在于，

提供半导体基底，所述半导体基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

刻蚀所述半导体基底的第一表面，在所述半导体基底内形成盲孔；

在所述盲孔的底部和侧壁以及半导体基底的第一表面上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成金属层，所述金属层填充满所述盲孔；

去除所述半导体基底上方部分厚度或全部厚度的所述金属层；

进行退火工艺后，再进行去除工艺使所述半导体基底的第一表面完全暴露，形成导电插塞；

研磨所述半导体基底的第二表面，使所述导电插塞导通所述半导体基底。

13.如权利要求12所述的TSV的形成方法，其特征在于，研磨所述半导体基底的第二表面的方法为CMP工艺。