[发明专利]SRAM单元中的接触塞及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在静态随机存取存储器(SRAM)单元的一部分上方形成介电层，所述SRAM单元包括：

第一上拉晶体管和第二上拉晶体管；

第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，与所述第一上拉晶体管和所述第二上拉晶体管形成交叉锁存的反相器；和

第一传输门晶体管和第二传输门晶体管，分别连接至所述第一上拉晶体管和所述第一下拉晶体管的漏极以及所述第二上拉晶体管和所述第二下拉晶体管的漏极；

在所述介电层上方形成并图案化第一掩模层；

在所述介电层上方形成第二掩模层；

将所述第一掩模层和所述第二掩模层结合起来用作蚀刻掩模来蚀刻所述介电层，在所述介电层中形成接触开口；以及

在所述接触开口中形成接触塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模层包含选自基本上由基于氧化硅的电介质、氮氧化硅、氮化硅、多晶硅、非晶硅、含碳介电材料、含氮介电材料、有机材料、难熔金属以及它们的组合所组成的组的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二掩模层包含光刻胶，并且所述第二掩模层位于所述第一掩模层上方。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在图案化所述第一掩模层的步骤之后，所述第一掩模层形成其中具有第一长接触开口的连续层，所述第一长接触开口的长度方向平行于所述SRAM单元的长边界，并且所述第一长接触开口的长度大于或者等于所述长边界的长度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述连续层中进一步包含第二长接触开口，所述第二长接触开口的长度方向平行于所述SRAM单元的长边界，并且所述第二长接触开口的长度小于所述长边界的长度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二长接触开口延伸到所述SRAM单元的边界。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二长接触开口未延伸到所述SRAM单元的任何边界。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在图案化所述第一掩模层的步骤之后，所述第一掩模层形成彼此分离的岛状件。

9.一种方法，包括：

形成包括多个栅电极和多个有源区域带的静态随机存取存储器(SRAM)单元，所述多个有源区域带与所述多个栅电极形成晶体管；

在所述多个栅电极和所述多个有源区域带上方形成层间电介质(ILD)；

在所述ILD上方形成第一掩模层，所述第一硬掩模层覆盖所述ILD的第一部分，并且通过所述第一掩模层中的开口暴露所述ILD的第二部分；

形成第二掩模层，所述第二掩模层包括填充到所述第一掩模层中的部分开口中的部分；

使用所述第一掩模层和所述第二掩模层作为蚀刻掩模来蚀刻所述ILD以在所述ILD中形成多个接触开口；以及

在所述多个接触开口中形成多个接触塞。

10.一种在非易失性计算机可读介质上实现的静态随机存取存储器(SRAM)单元布局，所述SRAM单元布局包括：

多个栅电极的多个第一布局图案；

多个鳍线的多个第二布局图案，所述多个第一布局图案和所述多个第二布局图案是以下部件的一部分：

交叉锁存的反相器，包含第一上拉晶体管和第二上拉晶体管以及第一下拉晶体管和第二下拉晶体管；和

两个传输门晶体管，连接至所述交叉锁存的反相器；

第一掩模层的多个第三布局图案；以及

第二掩模层的多个第四布局图案，其中，所述多个第三布局图案与所述多个第四布局图案不重叠的部分包含所述SRAM单元的接触塞图案。