[发明专利]承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法

说明书

技术领域

本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及一种承载装置及利用该装置进行晶片转移的方法。

背景技术

当前，随着半导体集成制造技术的不断进步，其性能得到不断提升，同时也伴随着器件小型化和微型化的集成进程，半导体晶圆的平坦化工艺已经成为半导体制造领域中非常关键的技术，尤其是化学机械研磨技术（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）得到了广泛的应用。

在CMP研磨工艺中，承载平台的输入端口（PIN）、输出端口（POUT）和HCLU中均装有识别晶片（wafer）的晶片传感器（wafer sensor），且只有被识别到的晶片方能进入研磨装置进行研磨工艺。

图1是传统的承载平台上固定设置传感器的结构示意图；如图1所示，在传统的承载平台11上固定设置有均匀分布的3个晶片传感器12，即相邻的两个晶片传感器12之间的距离及相对于承载平台11中心处的位置均相同，以能对放置在机台11上进行研磨工艺的晶片进行检测。

图2是传统的承载平台上固定设置的传感器的结构示意图，图3是传统的承载平台上放置有特殊形貌晶片时的结构示意图；如图2所示，每个晶片传感器12均包括固定不动的喷嘴14，该喷嘴14用于喷射去离子水（deionized water，简称DIW），并利用一体化（All InOne，简称AIO）的转换器（如液位送变器等）将该喷嘴14的水压转换为电压，即：需要进行研磨工艺的标准晶片13就会放置在喷嘴14上，以阻挡喷嘴14喷射去离子水，进而增大该喷嘴14的水压，并利用转换器将喷嘴14的水压转换为电压，输出低电压，而若没有标准晶片13放置在喷嘴上时，则喷嘴14喷射的去离子水就没有阻力，相应的转换器转换输出的则是高电压，所以，通过转化器转换后输出电压的高低，就可识别承载平台11上有没有放置标准晶片13。

但是，当放置在承载平台上的晶片其边缘有特殊形貌时，如图3所示，当放置的具有特殊形貌的晶片16（如晶片边缘具有缺口15），且若刚好喷嘴14与具有特殊形貌的晶片16于缺口15处接触时，就会形成缝隙，而喷嘴14喷射的去离子水就从该缝隙中泄露，进而减小具有特殊形貌的晶片16对喷嘴14喷射的去离子水的阻力，使得转换器转换后输出较高的电压，即当具有缺口15（在晶片13的边缘形成台阶结构）的晶片16放置到承载平台上时，离子水从形成的缝隙中泄露，使得转换器输出较高的电压，相应的晶片传感器12就检测不到该具有特殊形貌的晶片16的存在，进而会造成叠片的危险。另外，由于晶片传感器12是固定设置的，其只能针对一种尺寸规格的晶片进行检测识别，当对不同规格晶片进行CMP工艺时，就需要更换相应规格的传感器，进而降低了工艺设备的稼动率。

中国专利（授权公告号:CN101511539B）记载了一种平坦化的研磨装置及研磨方法，通过在基板上的多个区域设置多个基准信号，进而在基板的整个区域上得到均一的膜厚，且无需为了缩小传感器的有效测定范围而使传感器靠近基板的被研磨面，以实用没有贯通孔或背面凹坑等的研磨沉淀（pad）；该技术方案并没有公开有关检测具有特殊形貌晶片的相关技术特征，无法避免因具有如台阶结构等缺陷，而导致传感器无法检测到晶片，进而形成叠片的情况的出现，且只能针对一种规格的晶片进行工艺。

中国专利（申请公布号：CN102802871A）公开了一种研磨装置、研磨垫及研磨信息管理系统，通过在研磨垫中埋设传感器、存储器、驱动和通信器，进而对信息进行一元化管理，从而能够容易地进行调整动作条件、及对发生研磨不良情况进行分析等作业；该技术方案并没有公开有关检测具有特殊形貌晶片的相关技术特征，无法避免因具有如台阶结构等缺陷，而导致传感器无法检测到晶片，进而形成叠片的情况的出现，且也只能针对一种规格的晶片进行工艺。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种承载装置，应用于晶片的研磨工艺中，其中，包括：一承载平台，该承载平台承载所述晶片；

所述承载平台上设置有至少一个传感器，以识别该承载基台上是否承载有所述晶片；

其中，所述传感器可移动的设置在所述承载平台上。

上述的承载装置，其中，所述承载平台上还固定设置有导轨，且每个所述传感器均沿一所述导轨进行往复运动。

上述的承载装置，其中，每个所述导轨上均设置有位置标记，根据所述晶片尺寸和所述位置标记将所述传感器预置在所述轨道上的对应位置处。

上述的承载装置，其中，每个所述导轨上均设置有多个卡槽，通过一卡扣将所述卡槽与所述传感器卡接，以将该传感器固定在所述轨道上。