[发明专利]晶片封装体及其形成方法

说明书

技术领域

本发明有关于晶片封装体及其形成方法，且特别是有关于以晶圆级封装制程所形成的晶片封装体。

背景技术

电子产品持续有缩小化的需求。因此，晶片封装体中的晶片的尺寸(例如，厚度)随之缩小。

因此，业界亟需改良的晶片封装技术以形成小晶片尺寸的晶片封装体，并避免晶片于封装制程中受损。

发明内容

本发明一实施例提供一种晶片封装体，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该半导体基底之中；一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；一导电垫结构，位于该介电层之中，且电性连接该元件区，该导电垫结构包括多个导电垫层的堆叠结构；一支撑层，设置于该导电垫结构的一顶表面之上；以及一保护层，设置于该半导体基底的该第二表面上。

本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中该半导体基底定义有至少一预定切割道，以将该半导体基底划分成多个区域，所述区域分别形成有对应的一元件区，该半导体基底的该第一表面上形成有一介电层，该介电层中具有多个导电垫结构，所述导电垫结构分别电性连接至对应的该元件区，且每一所述导电垫结构包括多个导电垫层的堆叠结构；于每一所述导电垫结构的一顶表面上形成一支撑层；于该介电层上接合一承载基板；自该半导体基底的该第二表面薄化该半导体基底；在薄化该半导体基底之后，于该半导体基底的该第二表面上形成一保护层；于该保护层上设置一固定结构；在设置该固定结构后，移除该承载基板；在移除该承载基板后，于该介电层上设置一载体；在设置该载体后，移除该固定结构；以及沿着该至少一预定切割道进行一切割制程以于该载体上形成彼此分离的多个晶片封装体。

本发明可避免晶片于封装制程中受损。

附图说明

图1A-1K显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。

图2显示根据本发明一实施例的晶片封装体的剖面图。

图3显示根据本发明一实施例的半导体基底的俯视图。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在图式中，实施例的形状或是厚度可能扩大，以简化或是突显其特征。再者，图中未绘示或描述的元件，可为本领域技术人员所知的任意形式。

本发明一实施例的晶片封装体可用以封装各种晶片。例如，其可用于封装各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(opto electronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package;WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes;LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(process sensors)喷墨头(ink printer heads)、或功率金属氧化物半导体场效应晶体管模组(power MOSFET modules)等半导体晶片进行封装。