[发明专利]晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件区，形成于该半导体基底之中；

一介电层，设置于该半导体基底的该第一表面上；

一导电垫结构，位于该介电层之中，且电性连接该元件区，该导电垫结构包括多个导电垫层的堆叠结构；

一支撑层，设置于该导电垫结构的一顶表面之上；以及

一保护层，设置于该半导体基底的该第二表面上。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑层直接接触该导电垫结构的该顶表面。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑层的面积小于该导电垫结构的该顶表面的面积。

4.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑层的材质包括金属。

5.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一导电凸块，该导电凸块设置于该半导体基底的该第二表面上，且穿过该保护层，其中该导电凸块电性连接该导电垫结构。

6.根据权利要求5所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一孔洞，自该半导体基底的该第二表面朝该导电垫结构延伸；

一导线层，设置于该孔洞的侧壁上，且电性连接该导电垫结构及该导电凸块；以及

一绝缘层，设置于该导线层与该半导体基底之间。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该孔洞的接近该第二表面的一下口径小于该孔洞的接近该第一表面的一上口径。

8.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该半导体基底的一厚度介于50微米至150微米之间。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑层位于该介电层之中。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该介电层具有大抵平坦的一上表面。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该支撑层的厚度大于任一所述导电垫层的厚度。

12.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一表面及一第二表面，其中该半导体基底定义有至少一预定切割道，以将该半导体基底划分成多个区域，所述区域分别形成有对应的一元件区，该半导体基底的该第一表面上形成有一介电层，该介电层中具有多个导电垫结构，所述导电垫结构分别电性连接至对应的该元件区，且每一所述导电垫结构包括多个导电垫层的堆叠结构；

于每一所述导电垫结构的一顶表面上形成一支撑层；

于该介电层上接合一承载基板；

自该半导体基底的该第二表面薄化该半导体基底；

在薄化该半导体基底之后，于该半导体基底的该第二表面上形成一保护层；

于该保护层上设置一固定结构；

在设置该固定结构后，移除该承载基板；

在移除该承载基板后，于该介电层上设置一载体；

在设置该载体后，移除该固定结构；以及

沿着该至少一预定切割道进行一切割制程以于该载体上形成彼此分离的多个晶片封装体。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，形成该支撑层的步骤包括：

移除部分的该介电层以使每一所述导电垫结构的部分的该顶表面露出；以及

于露出的所述顶表面上形成一材料层以形成所述支撑层。

14.根据权利要求13所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括在形成所述支撑层之后，于所述支撑层上形成一介电材料以使该介电层具有一大抵平坦的上表面。

15.根据权利要求12所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括于该半导体基底的该第二表面上设置多个导电凸块，其中所述导电凸块穿过该保护层，且分别电性连接该对应的所述导电垫结构。

16.根据权利要求15所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，所述导电凸块穿入该固定结构。