[发明专利]多晶硅棒和其生产方法

权利要求书

1.一种具有至少150mm的总直径的多晶硅棒，包括在细棒周围具有0至低于0.01的孔隙率的核心（A），和至少两个随后的区域B和C，所述区域B和C的孔隙率以1.7至23的因数不同，外部区域C比区域B的孔隙率低。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒，其中，核心A延伸至可达不高于60mm的直径。

3.根据权利要求1或2所述的多晶硅棒，其中，区域B具有0.06至0.23的孔隙率，并且在所述总直径的15%至所述总直径的最大90%的区域内延伸。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅棒，其中，区域C具有0.01至0.1的孔隙率，并且在所述总直径的至少50%至所述总直径的最大100%的区域内延伸，区域C具有低于区域B的孔隙率。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅棒，其中，在区域C之后，包括层Z，所述层Z具有0至低于0.01的孔隙率，并且在所述总直径的至少90%至所述总直径的100%的区域内延伸。

6.一种通过粉碎根据权利要求1至5中任一项所述的多晶硅棒用于生产多晶硅块的方法。

7.通过权利要求6所述的方法生产的多晶硅块，包括具有不同的孔隙率的块，以及具有曲率半径为至少75mm的弯曲表面的块。

8.一种通过将包含含硅组分的反应气体引入至反应器中用于生产多晶硅棒的方法，其结果是所述多晶硅在细棒上沉积至可达目标棒直径，该方法包括：（a）在第一步骤中，将具有0至低于0.01的孔隙率的核心（A）沉积到每一个所述细棒上，至可达15-60mm的棒直径，棒温度为1000°C至1150°C，在所述反应气体中所述含硅组分的浓度是20至60mol%，并且所述含硅组分的进料速率是每1m²的棒表面积100至550kg/h；（b）在第二步骤中，在至少10%的棒直径处开始，至可达最大90%的棒直径的目标棒直径，将具有0.06至0.23的孔隙率的层（B）沉积到核心（A）上，棒温度是1030°C至1130°C，在所述反应气体中所述含硅组分的浓度是20至40mol%，并且所述含硅组分的进料速率是每1m²的棒表面积80至200kg/h；（c）以及在第三步骤中，在至少50%的棒直径处开始，至可达最大100%的棒直径的目标棒直径，将具有0.01至0.1的孔隙率的层（C）沉积到层（B）上，棒温度是960°C至1030°C，并且比所述第二步骤期间的棒温度低至少20°C，所述反应气体中所述含硅组分的浓度是15至35mol%，并且所述含硅组分的进料速率是每1m²的棒表面积10至130kg/h。

9.根据权利要求8中所述的方法，其中，在第四步骤中，在至少90%的棒直径处开始，至可达最大100%的棒直径的目标棒直径，将具有0至低于0.01的孔隙率的层（Z）沉积到层（C）上，棒温度是930°C至1000°C，并且比所述第三步骤期间的棒温度低至少20°C，在所述反应气体中所述含硅组分的浓度是3至30mol%，并且所述含硅组分的进料速率是每1m²的棒表面积6至60kg/h。