[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置无效

专利信息
申请号: 201310164803.6 申请日: 2013-05-07
公开(公告)号: CN103293776A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 张家祥 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1339 分类号: G02F1/1339;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)的结构中,为了形成液晶旋光所需的液晶盒厚,隔垫物是必不可少的。

目前,隔垫物都是位于对盒基板上的,即通过在对盒基板上涂覆一层有机树脂层,再通过光刻工艺形成具有特定高度的隔垫物图案。在阵列基板和对盒基板对盒后,隔垫物的端部与阵列基板接触,并且接触位置处于阵列基板的最高位置,当阵列基板受到挤压或者冲压时,隔垫物会顺势滑落到较低位置,并且很难恢复到原有位置,因此,会导致阵列基板错位,从而引发漏光。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,可避免隔垫物与阵列基板位置偏移问题,从而改善漏光。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

一方面,提供了一种阵列基板,该阵列基板包括:基板、设置在基板上的开关单元;进一步还包括:设置在基板上的钝化层、以及设置在所述钝化层上的隔垫物;其中所述隔垫物与所述开关单元对应。

可选的,所述钝化层和所述隔垫物的材质为有机树脂材料。

进一步优选的,所述开关单元为薄膜晶体管。

优选的,所述阵列基板还包括公共电极。

另一方面,提供了一种显示装置,该显示装置包括上述的阵列基板。

再一方面,提供了一种阵列基板的制备方法,该方法包括在基板上形成开关单元,进一步还包括:在基板上形成钝化层,以及形成与所述开关单元对应的隔垫物。

可选的,所述钝化层和所述隔垫物的材质为有机树脂材料。

进一步可选的,所述在基板上形成钝化层,以及形成与所述开关单元对应的隔垫物包括:在基板上形成由正性或负性有机树脂材料制成的薄膜;采用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对形成有所述薄膜的基板进行曝光,经显影后形成覆盖基板的所述钝化层、以及与所述开关单元对应的所述隔垫物。

进一步优选的,所述开关单元为薄膜晶体管。

优选的,所述方法还包括:在基板上形成公共电极。

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板包括基板、设置在基板上的开关单元、钝化层、以及与所述开关单元对应的隔垫物;通过在阵列基板上设置所述隔垫物,可以避免隔垫物与阵列基板位置偏移问题,从而改善由于对盒基板和阵列基板对盒精度偏差导致的漏光现象;此外,还可以使得对盒的厚度更加均一,进而改善显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图;

图2-图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的制备方法的过程示意图;

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;

图10为本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。

附图标记:

10-基板;20-开关单元,201-栅电极,202-栅绝缘层,203-有源层,204a-源电极,204b-漏电极,205-像素电极;34-有机树脂薄膜;30-钝化层;40-隔垫物;50-灰色调掩膜板,501-不透明部分,502-半透明部分;60-公共电极。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制备方法,该方法包括在基板上形成开关单元,进一步还包括:在基板上形成钝化层,以及形成与所述开关单元对应的隔垫物。

其中,所述开关单元可以为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)。

需要说明的是,第一,在本发明实施例中,所述开关单元包括:栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极等。

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