[发明专利]存储装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明关于一种存储器装置及其制备方法。

背景技术

动态随机存取存储装置是一种存储器，其通常包含数百万个一般被称为存储单元(memory cell)的相同电路元件。在一种设计中，一对的存储单元包含多个电子装置：两储存电容和两存取晶体管，其中两存取晶体管具有被存储单元共用的单一源极、两栅极、两通道及两漏极。于是，一对的存储单元具有两个可指定位置(addressable locations)，其中各指定位置储存一位元(bit)数据。一个位元可通过晶体管写入一指定位置，并可藉源极电极感测耦接漏极的电容内的电荷来读取出。图1显示此种设计的一典型动态随机存取存储装置1。

如图1所示，动态随机存取存储装置1是形成在一基板11上，其中该基板11具有多个主动区12；该些主动区12用于构成该动态随机存取存储装置1的存储单元。主动区12包括场效晶体管，且其被场隔离(field isolation)所围绕。如图1所示，主动区12具有两个漏极121及一个源极122，其中源极122形成于两个漏极121之间。漏极121电性耦接储存电容。多个条数字线(digital lines)13以平行方式形成，各数字线13电性连接一列(row)主动区12的源极122。再者，多个对的字元线14以垂直数字线13的方式形成。各对的字元线14延伸通过一行(column)的主动区12。各数字线13与在对应主动区12内的存储单元的栅极耦接。

字元线14是在主动区12已形成在基板11上后才制作。以现有的制造技术，不容易将一对的字元线14对准对应行的主动区12。其结果是，各主动区12中位在对应的字元线14外的两区域123的大小会不同，而此会造成形成在同一主动区上的两存储单元会展现不同的性能(performance)。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储装置以及其制备方法，以解决上述问题或其他问题。

根据一实施例，一种存储装置包含一基材、第一和第二沟渠隔离、多个线形隔离、一第一字元线，以及一第二字元线。基材包含一主动区，其中该主动区包含一源极区域和一漏极区域。第一和第二沟渠隔离可相互平行延伸。多个线形隔离可与第一和第二沟渠隔离共同界定主动区。第一字元线可延伸通过主动区，形成于基材内，靠近第一沟渠隔离，并与该第一沟渠隔离界定出一第一区段。第二字元线可延伸通过主动区，形成于基材内，靠近第二沟渠隔离，并与该第二沟渠隔离界定出一第二区段，其中该第一区段和该第二区段的大小相当。

在一些实施例中，第一或第二沟渠隔离的材料与该多个线形隔离的材料不同。

在一些实施例中，第一或第二沟渠隔离的深度与该多个线形隔离的深度不同。

根据一实施例，一种存储装置的制备方法包含形成一第一层于一基材上，其中该基材包含多个线形主动区；形成一第二层于该第一层上；图案化该第二层，以形成多个线条和多个第一间隔，其中该多个线条与该多个线形主动区相交，该多个第一间隔分隔该些线条；沈积第一间隔材料在该图案化的第二层；将填充材料填充于该些第一间隔；移除该第一间隔材料，以形成多个开口；通过该多个开口于该第一层上形成多个第一沟槽；加深该多个第一沟槽至该基材；沈积栅极介电材料至该多个加深的第一沟槽；沈积导电材料至该多个加深的第一沟槽；形成一隔离结构于各该加深的第一沟槽内、在该导电材料上；移除该第二层，以露出该多个隔离结构的顶部；于该多个隔离结构的侧壁上形成一第二间隔材料，并界定出多个第二间隔，其中该多个第二间隔将该多个隔离结构成对地分隔开；通过该多个第二间隔，形成多个第二沟槽；以及以绝缘材料填充该多个第二沟槽。

附图说明

图1显示此种设计的一典型动态随机存取存储装置。

图2例示本发明一实施例的一存储装置。

图3至图20为本发明一实施例的示意图，其用来概要地展示一种存储装置的制备方法的步骤。

其中，附图标记说明如下：

1          动态随机存取存储装置

2          存储装置

11         基板

12         主动区

13         数字线

14         字元线

20         基材

21         主动区

22a、22b   沟渠隔离

23a、23b   字元线

24         线形主动区

25         线形隔离