[发明专利]存储装置及其制备方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包含：

一基材，包含一主动区，该主动区包含一源极区域和一漏极区域；

第一和第二沟渠隔离，相互平行延伸；

多个线形隔离，与该第一和第二沟渠隔离共同界定该主动区；

一第一字元线，延伸通过该主动区，形成于该基材内，靠近该第一沟渠隔离，并与该第一沟渠隔离界定出一第一区段；以及

一第二字元线，延伸通过该主动区，形成于该基材内，靠近该第二沟渠隔离，并与该第二沟渠隔离界定出一第二区段，该第一区段和该第二区段的大小相当。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于该第一或第二沟渠隔离的材料与该多个线形隔离的材料不同。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于该第一或第二沟渠隔离的深度与该多个线形隔离的深度不同。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于该第一或第二沟渠隔离包含氮化物。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于该第一或第二沟渠隔离包含氧化物。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于该第一沟渠隔离与该第一字元线间的距离相当于该第二沟渠隔离与该第二字元线间的距离。

7.根据权利要求1所述的存储装置，还包含一沟槽，其特征在于该沟槽收容该第一或第二沟渠隔离及氧化物材料。

8.根据权利要求7所述的存储装置，还包含氮化物材料，其特征在于该氮化物收容于该沟槽，并设置于该氧化物材料上。

9.一种存储装置的制备方法，其特征在于，包含下列步骤：

形成一第一层于一基材上，该基材包含多个线形主动区；

形成一第二层于该第一层上；

图案化该第二层，以形成多个线条和多个第一间隔，该多个线条与该多个线形主动区相交，该多个第一间隔分隔该多个线条；

沈积第一间隔材料在该图案化的第二层；

填充材料填充于该多个第一间隔；

移除该第一间隔材料，以形成多个开口；

通过该多个开口于该第一层上形成多个第一沟槽；

加深该多个第一沟槽至该基材；

沈积栅极介电材料至加深的该多个第一沟槽；

沈积导电材料至加深的该多个第一沟槽；

形成一隔离结构于各加深的该第一沟槽内，在该导电材料上；

移除该第二层，以露出该多个隔离结构的顶部；

于该多个隔离结构的侧壁上形成一第二间隔材料，并界定出多个第二间隔，该多个第二间隔将该多个隔离结构成对地分隔开；

通过该多个第二间隔，形成多个第二沟槽；以及

以绝缘材料填充该多个第二沟槽。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于图案化该第二层的步骤包含利用一图案化材料图案化该第二层的步骤，该图案化材料包含硅氮氧化物。

11.根据权利要求9所述的制备方法，还包含形成一硅氮氧化物层于该第一层和该第二层之间的步骤。

12.根据权利要求11所述的制备方法，还包含使用该图案化的第二层图案化该硅氮氧化物层的步骤。

13.根据权利要求9所述的制备方法，还包含形成一多结晶硅层于该基材和该第一层之间的步骤。

14.根据权利要求13所述的制备方法，还包含通过该多个第二沟槽对该多结晶硅层进行选择性蚀刻的步骤。

15.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于该第一或第二间隔材料包含氧化物。

16.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于该第一或第二层包含碳和C_xH_y。

17.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于该填充材料包含非晶态硅。

18.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于该绝缘材料包含氮化物。