[发明专利]一种TSV露头工艺

权利要求书

1.一种TSV露头工艺，其特征在于，包括步骤：

提供一具有TSV结构的半导体衬底；

对上述半导体衬底的背面进行一机械研磨工艺；

对半导体衬底背面进行第一次化学机械抛光工艺，该第一次化学机械抛光工艺采用无选择比的抛光液将半导体衬底背面抛光至距离TSV底部不超过1μm处，抛光后衬底表面的TTV小于1μm；

对半导体衬底背面进行第二次化学机械抛光工艺，该第二次化学机械抛光工艺采用对半导体衬底、TSV介质层、TSV阻挡层高选择比的抛光液进行；

对半导体衬底背面进行湿法或干法刻蚀，使TSV露出10μm以上。

2.如权利要求1所述的TSV露头工艺，其特征在于：所述第二次化学机械抛光工艺中采用的抛光液，其对半导体衬底和TSV介质层之间的选择比为10：1至100：1，TSV介质层与TSV阻挡层之间的选择比超过200：1。

3.如权利要求1所述的TSV露头工艺，其特征在于：所述第二次化学机械抛光工艺中采用的抛光液氢氟酸和硝酸混合体系、氢氟酸，TMAH体系或氢氧化钾。

4.如权利要求3所述的TSV露头工艺，其特征在于：所述氢氟酸和硝酸混合体系中氢氟酸和硝酸的体积百分比的范围在1：5到1：25之间，所述TMAH体系的重量百分比为3w%-30w%。

5.如权利要求1所述的TSV露头工艺，其特征在于：所述第二次化学机械抛光工艺后，TSV的露头高度在0.2μm-0.5μm之间。

6.如权利要求1所述的TSV露头工艺，其特征在于：所述半导体衬底的材质为硅、锗、氮化镓或砷化镓。