[发明专利]半导体封装元件加工方法在审
| 申请号： | 201310163166.0 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104143506A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 林厚德;张超雄;陈滨全;陈隆欣 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 元件 加工 方法 | ||
1.一种半导体封装元件加工方法，包括以下步骤：
步骤一，提供一切割平台，该切割平台具有图案化结构；
步骤二，将待切割的半导体封装元件组与切割平台的图案化结构相互配合，其中半导体封装元件组与图案化结构贴附的一侧为封装正面，远离图案化结构的一侧为封装背面；
步骤三，利用切割刀具，从半导体封装元件组的封装背面朝向封装正面一侧切割，以分离各半导体封装元件。
2.如权利要求1所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述图案化结构包含多个凸出部和凹陷部。
3.如权利要求1所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述步骤二中所述相互配合是指图案化结构的凸出部和凹陷部对应收容半导体封装元件的凹陷部和凸出部。
4.如权利要求1所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述切割平台具有若干抽气孔，抽气孔一端为所述切割平台的图案化结构表面，另一端与真空泵相接。
5.如权利要求3所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述步骤二在所述切割平台与半导体封装元件组之间设置有薄膜。
6.如权利要求5所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述薄膜不具有粘性。
7.如权利要求6所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：利用抽真空的方法将薄膜紧密贴附于切割平台的图案化结构内。
8.如权利要求5所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：所述薄膜为UV薄膜，其具有薄膜层和胶粘层，胶粘层所使用的胶粘剂经紫外光照射后粘度降低。
9.如权利要求8所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：利用抽真空的方法将UV薄膜紧密贴附于切割平台的图案化结构内。
10.如权利要求9所述的半导体封装元件加工方法，其特征在于：还包括在步骤三后，利用紫外线照射UV薄膜，以去除粘附在半导体封装元件或切割平台上的UV薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
