[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体封装件，并且更特别地涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用在多种电子及其他应用中。半导体器件包括集成电路，或通过将多种材料的薄膜沉积在半导体晶片上方并使材料的薄膜图案化以集成电路而在半导体晶片上形成的分立器件。

半导体器件典型地封装在陶瓷或塑料本体内以保护其免受物理损坏和腐蚀。这种封装还支撑连接至所述器件所需的电触头。根据正在封装的晶圆的种类和旨在用途，可获得多种不同类型的封装。典型的封装（例如封装件的尺寸、引线数（pin count））可遵照诸如来自电子设备工程联合协会（Joint Electron Devices Engineering Council（JEDEC））的开放标准。封装也可称为半导体器件组件或者仅称组件。

由于将多个电接头连接至外部焊垫并同时保护这些电接头和位于下方的芯片的复杂性，封装可能为成本密集的工艺。

发明内容

通过本发明的示例性实施例，大体解决或者规避这些和其他问题，并且大体实现技术优点。

根据本发明的一个实施例，形成半导体封装件的方法包括将多个半导体芯片设置在载体上方。多个半导体芯片中的每个在第一侧和相对的第二侧上具有第一侧接触区域。多个半导体芯片中的每个具有邻近第一侧的活性区域。第二侧面向载体。该方法还包括通过在多个半导体芯片和载体处施加封装剂来形成再造晶片（reconstituted wafer）。在封装剂中形成穿透开口和接触开口。通过用导电填充材料填充穿透开口和接触开口而形成第一接触焊垫和第二接触焊垫。通过使再造晶片单一化来形成独立封装件。多个半导体芯片可包括被构造成调节从第一侧朝向第二侧的方向上的电流的芯片。

根据本发明的一个实施例，半导体封装件包括具有在第一主表面上具有第一接触区域和在相对的第二主表面上具有第二接触区域的半导体芯片。半导体芯片被构造成调节从第一接触区域至第二接触区域的电流。封装剂设置在半导体芯片处。第一接触插塞设置在封装剂内并且耦接至第一接触区域。第二侧导电层设置在第二主表面下方并且耦接至第二接触区域。通孔设置在封装剂内并耦接至第二侧导电层。第一接触插塞和通孔在第一主表面上方形成用于接触半导体封装件的端子。

上述已相当宽泛地概述了本发明实施例的特征，以便可更好地理解以下本发明的详细描述。下文中将描述本发明实施例的附加特征和优点，所述附加特征和优点构成本发明权利要求的主题。本领域技术人员应当认识到，所公开的概念和具体的实施例可容易地用作出于与本发明相同的目的而修改或设计其他结构或工艺的基础。本领域技术人员还应当认识到，这样的等同设计不背离如所附权利要求中所阐述的本发明的精神和范围。

附图说明

为了更彻底地理解本发明及其优点，现在参照以下结合附图进行的描述，附图中：

图1示出了根据本发明实施例的包括功率半导体的芯片级封装件；

图2（包括图2A-图2D）示出了根据本发明实施例的包括三端子半导体器件的封装件，其中，图2A和图2C至图2D示出了横截面视图，而图2B示出了顶视图；

图3示出了根据本发明实施例的在将单一化的晶圆设置在载体上方之后的制造过程中的半导体封装件；

图4示出了根据本发明实施例的在形成再造晶片之后的制造过程中的半导体封装件；

图5示出了根据本发明实施例的在形成用于接触焊垫的开口之后的制造过程中的半导体封装件；

图6示出了根据本发明实施例的在通过填充接触焊垫开口而形成接触焊垫之后的制造过程中的半导体封装件；

图7示出了根据本发明实施例的在将再造晶片与载体分离之后的制造过程中的半导体封装件；

图8（包括图8A和图8B）示出了根据本发明实施例的在对再造晶片进行减薄之后的制造过程中的半导体封装件，其中，图8B示出了图8A的放大横截面视图；

图9示出了根据本发明实施例的在再造晶片下方形成背面金属衬层之后的制造过程中的半导体封装件；

图10示出了根据本发明实施例的在金属衬层和再造晶片下方形成背面金属层之后的制造过程中的半导体封装件；

图11示出了根据本发明实施例的在将再造晶片的正面平面化之后的制造过程中的半导体封装件；

图12示出了根据本发明实施例的在构建背面金属层之后的制造过程中的半导体封装件；

图13示出了根据本发明实施例的在去除暴露的封装剂之后的制造过程中的半导体封装件；