[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：

将多个半导体芯片设置在载体上方，所述多个半导体芯片中的每个具有位于第一侧和相对的第二侧上的第一侧接触区域，所述多个半导体芯片中的每个具有邻近所述第一侧的活性区域，其中，所述第二侧面向所述载体；

通过在所述多个半导体芯片和所述载体处施加封装剂来形成再造晶片；

在所述封装剂中形成穿透开口和接触开口；

通过用导电填充材料填充所述穿透开口和所述接触开口来形成第一接触焊垫和第二接触焊垫；以及

通过使所述再造晶片单一化来形成独立封装件，其中，所述多个半导体芯片包括被构造成调节从所述第一侧朝向所述第二侧的方向上的电流的芯片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将多个半导体芯片设置在载体上方包括设置多个功率芯片和多个器件，其中，所述独立封装件中的每个包括所述多个功率芯片中的一个功率芯片以及所述多个器件中的一个器件。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个器件包括被构造成调节在沿着所述第一侧的平面中横向地流动的电流的水平半导体器件。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述穿透开口包括利用激光钻孔工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一接触焊垫和所述第二接触焊垫包括利用电化学沉积工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将所述再造晶片与所述载体分离；

对所述再造晶片进行减薄，以使所述多个半导体芯片从所述第二侧减薄；以及

在减薄之后，在第二侧接触区域下方形成第二侧导电板，其中，所述第二侧接触区域经由所述第二侧导电板耦接至所述第一接触焊垫。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个半导体芯片中的每个被构造成调节从所述第一侧接触区域至所述第二侧接触区域的电流。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述多个半导体芯片中的每个包括功率场效应晶体管，并且其中，所述第一侧接触区域为所述功率场效应晶体管的源极区域，并且所述第二侧接触区域为所述功率场效应晶体管的漏极区域。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述封装剂中形成第二接触开口；以及

通过用所述导电填充材料填充所述第二接触开口来形成用于所述功率场效应晶体管的栅极区域的第三接触焊垫。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第二侧导电板包括利用电化学沉积工艺来沉积结构化的第二侧导电板。

11.根据权利要求6所述的方法，其中，形成所述第二侧导电板包括沉积未结构化的第二侧导电板并且使所述未结构化的第二侧导电板结构化。

12.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述多个半导体芯片进行减薄包括对具有位于硅基板上方的异质外延层的工件进行减薄，并且其中，所述减薄去除所述硅基板。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个半导体芯片中的每个包括n沟道金属绝缘半导体场效应晶体管或p沟道金属绝缘半导体场效应晶体管。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体封装件具有的端子少于十个。

15.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：

将多个功率半导体芯片设置在载体上方，所述多个功率半导体芯片中的每个具有位于第一侧和相对的第二侧上的源极接触区域和栅极接触区域，所述多个功率半导体芯片中的每个具有邻近所述第一侧的活性区域，其中，所述多个功率半导体芯片包括被构造成调节从所述第一侧朝向所述第二侧的方向上的竖直电流的芯片；

通过在所述多个功率半导体芯片和所述载体上方施加封装剂来形成再造晶片；

在所述封装剂中形成穿透开口；以及

在所述源极接触区域上方的所述封装剂中形成第一接触开口以及在所述栅极接触区域上方的所述封装剂中形成第二接触开口。

16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括，通过使所述再造晶片单一化来形成独立封装件。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述穿透开口包括利用激光钻孔工艺。