[发明专利]一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构有效
| 申请号： | 201310161729.2 | 申请日： | 2013-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN103226252A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 曹彤彤;陈少武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 耗尽 型硅基 电光 调制器 调制 效率 掺杂 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，该掺杂结构包括一硅基电光调制器调制区波导，该波导为脊型光波导结构，在该波导内分别有第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域，其中在该第二掺杂区域与第三掺杂区域的交界处形成类似U形的PN结电学调制结构，第一掺杂区域和第四掺杂区域分别接金属导线并与高频驱动电路相连接。
2.根据权利要求1所述的提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，该波导采用的材料为硅或SOI材料，具有载流子色散效应。
3.根据权利要求1所述的提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，第一、第二、第三、第四掺杂区域分别为P++、P+、N+、N++区。
4.根据权利要求1所述的提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，第一、第二、第三、第四掺杂区域分别为N++、N+、P+、P++区。
5.根据权利要求1所述的提高耗尽型硅基电光调制器调制效率的掺杂结构，其特征在于，其光学结构可以采用微环谐振腔或者马赫曾德干涉仪，电光调制器工作在载流子耗尽状态。
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