[发明专利]一种在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法有效
| 申请号： | 201310159378.1 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN103268901A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 汪远昊 | 申请（专利权）人： | 深圳市万业隆太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 薄膜 表面 形成 织构化微晶银 方法 | ||
1.一种在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，包括以下步骤：
将醋酸银与草酸溶解，配制成含有醋酸银与草酸的前驱体溶液，其中，所述醋酸银和草酸的质量比为(3.2～13.1)：(0.1～0.5)；
将所述前驱体溶液涂覆在非晶硅薄膜表面；
将涂覆处理后的非晶硅薄膜在200～300℃进行热处理，在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银。
2.如权利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：在配制所述前驱体溶液的步骤中，配制所述前驱体溶液所用的溶剂为异丙醇和叔丁醇中至少一种。
3.如权利要求2所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：在配制所述前驱体溶液的步骤中，所述草酸与所述溶剂的质量比为(0.1～0.5)：(15.7～47.1)。
4.如权利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：所述前驱体溶液涂覆在非晶硅薄膜表面的量为0.25～1.5g/cm2。
5.如权利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：所述热处理温度为250～300℃。
6.如权利要求1～5任一所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：所述热处理时间为10～20h。
7.如权利要求1～5任一所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：在热处理步骤之后，还包括对经热处理后的非晶硅薄膜依次进行清洗和干燥处理的步骤。
8.如权利要求7所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：所述干燥处理是将清洗后的非晶硅薄膜在60～80℃下干燥10～12h。
9.如权利要求1～5任一项所述的在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，其特征在于：所述织构化微晶银的颗粒粒径为400～500nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
