[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一导电层；至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过第一导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第一导电层；第二导电层，所述第二导电层层叠在第一导电层上；以及第二缝隙，所述第二缝隙在与第一缝隙不同的位置穿过第二导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第二导电层。

相关申请的交叉引用

本申请要求2012年11月14日提交的申请号为10-2012-0128765的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体而言涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体而言，涉及一种三维非易失性存储器件及其制造方法。

背景技术

非易失性存储器件即使电源停止供应也能保留储存的数据。近来，由于二维非易失性存储器件（存储器单元以单层形成在硅衬底上）的集成度的增强存在限制，所以已经研发了三维非易失性存储器件（存储器单元垂直地层叠在硅衬底上）。

三维非易失性存储器件通过设置具有线形或U形的存储串来层叠存储器单元。然而，由于层叠字线的工艺的难度水平高，所以存在层叠材料变得倾斜或者导电材料保留在不期望的区域上等等的问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种可以更容易地制造的半导体器件及其制造方法。

根据本发明的一个实施例的半导体器件可以包括：第一导电层；一个或更多个第一缝隙，所述一个或更多个第一缝隙穿过第一导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第一导电层；第二导电层，所述第二导电层层叠在第一导电层上；以及第二缝隙，所述第二缝隙在与第一缝隙不同的位置穿过第二导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分第二导电层。

根据本发明的一个实施例的半导体器件可以包括：第一源极层；至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过第一源极层，并且被配置成以存储块为单位来划分第一源极层；导电层，所述导电层层叠在第一源极层上；以及一个或更多个第二缝隙，所述一个或更多个第二缝隙在与第一缝隙不同的位置穿过第二导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分导电层。

根据本发明的一个实施例的制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：形成穿过第一导电层的至少一个第一缝隙，第一缝隙以存储块为单位来划分第一导电层；在第一缝隙中形成第一绝缘层；在第一导电层上依次地形成第一材料层和第二材料层；以及形成穿过第一材料层和第二材料层的至少一个第二缝隙，第二缝隙在与第一缝隙不同的位置以存储块为单位来划分第一材料层和第二材料层。

本发明可以降低制造半导体器件的工艺的难度水平，并且可以增强半导体器件的可靠性。

附图说明

通过结合附图参照以下详细的描述，本发明的以上和其他的特点和优点将变得明显，其中：

图1A和图1B是说明根据本发明的一个实施例的半导体器件的布局和截面的示图；

图2A是说明根据本发明的第一实施例的半导体器件的截面图；

图2B是说明根据本发明的第二实施例的半导体器件的截面图；

图2C是说明根据本发明的第三实施例的半导体器件的截面图；

图2D是说明根据本发明的第四实施例的半导体器件的截面图；

图3A至图8B是说明制造根据本发明的第一实施例的半导体存储器件的方法的示图；

图9A和图9B是说明根据本发明的第一实施例的半导体器件的源极层的立体图；

图10A至图10G是说明根据本发明的第一实施例的半导体器件的布局的示图；

图11是说明根据本发明的一个实施例的存储系统的框图；