[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电层；

至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过所述第一导电层，并且被配置成以存储块为单位来划分所述第一导电层；

第二导电层，所述第二导电层层叠在所述第一导电层上；

第二缝隙，所述第二缝隙在与所述第一缝隙不同的位置穿过所述第二导电层，并且被配置成以所述存储块为单位来划分所述第二导电层；

至少一个第三导电层，所述至少一个第三导电层形成在所述第一导电层中；以及

至少一个第三缝隙，所述至少一个第三缝隙位于相应存储块的单元区中，并且被配置成具有穿通所述第三导电层的深度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一缝隙和所述第二缝隙彼此不重叠。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层是管道栅，至少一个最上面的第二导电层是选择线，其他的第二导电层是字线。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层是源极层，至少一个最上面的第二导电层是上选择线，至少一个最下面的第二导电层是下选择线，其他的第二导电层是字线。

5.一种半导体器件，包括：

第一源极层；

至少一个第一缝隙，所述至少一个第一缝隙穿过所述第一源极层，并且被配置成以存储块为单位来划分所述第一源极层；

导电层，所述导电层层叠在所述第一源极层上；

至少一个第二缝隙，所述至少一个第二缝隙在与所述第一缝隙不同的位置穿过所述导电层，并且被配置成以所述存储块为单位来划分所述导电层；

至少一个第二源极层，所述至少一个第二源极层形成在所述第一源极层中；以及

至少一个第三缝隙，所述至少一个第三缝隙位于相应存储块的单元区中，并且被配置成具有穿通所述第二源极层的深度。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一缝隙与所述第二缝隙不重叠。

7.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

沟道层，所述沟道层与所述第二源极层连接，并且穿通所述导电层；

存储器层，所述存储器层被配置成包围所述沟道层和所述第二源极层的外表面；以及

至少一个第三源极层，所述至少一个第三源极层形成在所述第二源极层中，并且穿过所述第二源极层和所述存储器层与所述第一源极层连接。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

至少一个第一接触插塞，所述至少一个第一接触插塞形成在所述第三缝隙中，并且与所述第三源极层连接。

9.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

至少一个第四缝隙，所述至少一个第四缝隙位于相应存储块的单元区中，并且被配置成具有穿通所述导电层的深度。

10.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第二接触插塞，所述第二接触插塞位于相应存储块的接触区中，并且分别与所述导电层连接。

11.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第五缝隙，所述第五缝隙位于相应存储块的接触区中。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第五缝隙具有线形、包括至少一个突出部分的线形、及“c”形中的一种，或者它们的组合。

13.如权利要求12所述的半导体器件，还包括：

第二接触插塞，所述第二接触插塞位于相应存储块的接触区中，并且分别与所述导电层连接，

其中，所述第二接触插塞位于所述突出部分之间或所述线形部分之间。