[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块（1），包括基板（2）和安装在其上的至少一对衬底（3），由此

每个衬底（3）具有矩形形状，

多个功率半导体（4，5，25）安装在每个衬底（3）上，

所述功率半导体（4，5，25）布置在每个衬底（3）上，所述衬底（3）沿其的相对边缘（6）具有不同数量的功率半导体（4，5，25），并且

所述至少一对衬底（3）布置在所述基板（2）上，其中提供有较低数量的功率半导体（4，5，25）的所述衬底（3）的所述边缘（6）面朝彼此。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块（1），其特征在于

所述衬底（3）的所述相对边缘（6）是它们的较长边缘。

3.如权利要求1所述的功率半导体模块（1），其特征在于，所述功率半导体（4，5，25）具有矩形形状。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块（1），其特征在于，所述功率半导体（4，5，25）至少具有相同的尺寸。

5.如权利要求3所述的功率半导体模块（1），其特征在于

布置在提供有较高数量的功率半导体（4，5，25）的所述衬底（3）的所述边缘（6）处的所述功率半导体（4，5，25）以它们的较长横向边缘（7）沿所述衬底（3）的该边缘（6）来布置，并且

布置在提供有较低数量的功率半导体（4，5，25）的所述衬底（3）的所述边缘（6）处的所述功率半导体（4，5，25）以它们的较短横向边缘（8）沿所述衬底（3）的该边缘（6）来布置。

6.如权利要求1-5中任一项所述的功率半导体模块（1），其特征在于

提供所述衬底（3）和所述功率半导体（4，5，25）使得布置在提供有较高数量的功率半导体（4，5，25）的所述衬底（3）的所述边缘（6）处的所述功率半导体（4，5，25）沿该边缘（6）的整个长度延伸。

7.如权利要求1-5中任一项所述的功率半导体模块（1），其特征在于

所述功率半导体（4，5，25）包括至少一个绝缘栅双极晶体管（4）和至少一个功率二极管（5）。

8.如前述权利要求6所述的功率半导体模块（1），其特征在于

每个衬底（3）上的所述功率半导体（4，5，25）包括三个绝缘栅双极晶体管（4）和两个功率二极管（5）。

9.如前述权利要求7所述的功率半导体模块（1），其特征在于

一个功率二极管（5）和一个绝缘栅双极晶体管（4）沿所述衬底（3）的所述相对边缘（6）中的一个布置，并且

一个功率二极管（5）和两个绝缘栅双极晶体管（4）沿所述衬底（3）的所述相对边缘（6）中的另一个布置。

10.如权利要求1至5中任一项所述的功率半导体模块（1），其特征在于

所述功率半导体（4，5，25）是逆导绝缘栅双极晶体管（25）。

11.如权利要求1至5和8-9中任一项所述的功率半导体模块（1），其特征在于

所述衬底（3）具有等同的形状和设计并且等同地配备有功率半导体（4，5，25）。

12.如权利要求1至5和8-9中任一项所述的功率半导体模块（1），其特征在于

所述至少一对衬底（3）布置在所述基板（2）上，其中它们的沿其提供较高数量的功率半导体（4，5，25）的边缘（6）面朝所述基板（2）的边界（9）。

13.如权利要求11所述的功率半导体模块（1），其特征在于

面朝彼此的所述衬底（3）的所述边缘（6）之间的距离小于所述衬底（3）的所述相对边缘（6）中的每个与所述基板（2）的边界（9）之间的距离。